[发明专利]一种光纤氢气传感器用氢敏材料及其制备方法

权利要求书

1.一种光纤氢气传感器用氢敏材料，其特征在于，该薄膜材料包括基底和合金薄膜；

所述的基底的材料为金属、半导体或绝缘体材料；

所述的合金薄膜材料基本成分为Pd和Y，化学组成为Pd_[1-x-y]Y_[x]α_[y]，其中α为Pt、Ag、Au、Ni、Cu、Al、Li和B中的任一种，或者为La、Ru、Ce、Pr、Nd和Pm中的至少一种，0＜x≤0.3，0≤y≤0.3；

所述的合金薄膜材料厚度2～1000nm。

2.一种权利要求1所述的光纤氢气传感器用氢敏材料的制备方法，其特征在于：首先用感应熔炼或粉末冶金方法预制合金靶，然后通过物理气相层积方法，在基片上制成合金薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的氢气传感器用氢敏材料的制备方法，其特征在于：所述的物理气相层积方法包括溅射镀膜法，真空蒸发镀膜法，真空离子镀膜法。

4.权利要求1所述的氢气传感器用氢敏材料的制备方法，其特征在于：利用多个纯靶材，直接在基片材料上多靶共溅层积，制成合金薄膜材料。