[发明专利]一种在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法有效
| 申请号： | 201110359811.7 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102491332A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李贺军;褚衍辉;付前刚;李克智 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷 表面 制备 碳化硅 纳米 方法 | ||
1.一种在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：将质量百分比为10～15％的Si粉，15～30％的C粉，40～70％的SiO2粉和5～15％的二茂铁粉进行混合，然后置于松脂球磨罐中，球磨混合处理2～4小时；
步骤2：将粉料均匀铺满石墨坩埚底部，用一束3k碳纤维捆绑SiC陶瓷片后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方；
步骤3：将石墨坩埚放入石墨为发热体的热压真空反应炉中，对真空炉进行真空处理后，通Ar至常压，以5～10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600～1800℃，保温1～3小时，关闭电源自然冷却至室温；整个过程中通Ar保护；
步骤4：取出石墨坩埚，清理SiC陶瓷片上的碳纤维，在SiC陶瓷片上得到SiC纳米带。
2.根据权利要求1所述在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于：所述SiC陶瓷片清洗后放入烘箱中烘干。
3.根据权利要求1所述在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于：所述对真空炉进行真空处理为：抽真空30分钟后使真空度达到-0.09MPa，保真空30分钟。
4.根据权利要求1所述在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于：所述Si粉的纯度为99.5％、粒度为300目。
5.根据权利要求1所述在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于：所述C粉的纯度为99％，粒度为320目。
6.根据权利要求1所述在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于：所述SiO2粉的纯度为分析纯、粒度为300目。
7.根据权利要求1所述在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于：所述Al2O3粉的纯度为分析纯，粒度为100～200目。
8.根据权利要求1所述在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于：所述二茂铁粉的纯度为分析纯，粒度为300目。
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