[发明专利]具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构无效
| 申请号： | 201110369117.3 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103107254A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 黄国瑞 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾苗栗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 复数 贯穿 孔洞 电流 阻断 发光二极管 结构 | ||
1.一种具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其是包含：
一基板；
一N型半导体层，是设于该基板的上方；
一发光层，是设于该N型半导体层的上方；
一P型半导体层，是设于该发光层的上方；
一电流阻断层，是设于该P型半导体层的上方，其具有复数个贯穿孔洞，该些贯穿孔洞是与该P型半导体层相接触，且每一该些贯穿孔洞之内是设置一导电填充层；及
一透明导电层，是覆盖该电流阻断层的上方。
2.如权利要求1所述的具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，更进一步包含一P型电极，是位于该透明导电层的上方，且设置于不对应该些贯穿孔洞。
3.如权利要求1所述的具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其中该些导电填充层的材质为铟锡氧化物。
4.如权利要求1所述的具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其中该透明导电层的材质为铟锡氧化物。
5.如权利要求1所述的具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其中该导电填充层与该透明导电层是可为一体成形者。
6.如权利要求1所述的具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其中该电流阻断层的材质是选自于二氧化硅、氮化硅及氧化铝的其中之一。
7.如权利要求1所述的具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其中该基板的侧面具有至少一斜面部，该斜面部是与一底部相连接，该底部的长度是小于一顶部。
8.如权利要求7所述的具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其中该斜面部位于该基板侧边由底向上20～50微米处。
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