[发明专利]液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种广视角的液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置因为具有空间占用率低、能耗较低的特点，从而被广泛应用于手持型信息交换终端以及各种显示领域。液晶显示装置通过电场控制来自光源的光透过液晶层时的液晶分子排列方向，改变透射率来显示图像。根据具体的原理不同，液晶显示装置由早期的TN模式发展到现在的垂直排列(VA)模式以及平面转换(In-Plane Switching，IPS)模式。

垂直排列(Vertically Aligned；VA)模式是液晶显示装置的一种广视角技术，具体来讲，VA模式的液晶显示装置包括，第一基板、第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层，所述液晶层包括多个液晶分子，所述液晶分子为负性液晶；分别在第一基板、第二基板的电极，例如，氧化铟锡(ITO)电极上加载电压时，会产生偏压电场，所述偏压电场使液晶分子从垂直于基板排列转向平行于基板平面倾倒，配合偏光片和背光源的设置而产生了光程差，以此实现图像的显示。

在VA模式的液晶显示装置中，在未加电时，由于PI膜表面形状铆定的作用，液晶分子垂直基板排列，几乎没有倾角，在加电时如果不给液晶分子一个预倾的方向，则液晶分子在偏转时就是杂乱取向的。这种杂乱取向的偏转不仅要耗费极长的响应时间，而且无规则的偏转会形成多个杂乱的畴，畴与畴交界处的畴线由于液晶分子无法偏转，则成为了无效显示区域，相应降低了像素的实际开口率。因此，人为控制液晶分子的偏转状况是VA模式的一个重要课题。

目前，解决液晶分子无规则偏转的改进方法主要有二种：一种是多畴垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)，其是在ITO电极表面制作一定形状的突起以使液晶分子获得倾斜铆定，在未施加电压的状态下，配向于垂直方向的液晶分子会因突起而略为倾斜，在预倾的情况下液晶分子的偏转方向就得到了控制。另一种是图像垂直调整(Patterned Vertical Alignment，PVA)，其是在上下基板的ITO电极上划刻狭缝以形成倾斜电场和ITO边缘侧向电场，利用有规则倾斜方向的电场来确定液晶分子的偏转方向。以上两种技术可以详细参阅中国专利申请号为200610115796.0、200510082855.4和200810043312.5的文件。但是，上述两种方法制作工艺复杂，增加工艺成本。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种液晶显示装置，可以降低生产成本，简化制作工艺。

为解决上述问题，本发明提供了一种液晶显示装置，包括：

相对设置的第一基板和第二基板，以及设置于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶分子层；

所述第一基板包括：设置于相对于第二基板的内侧的第一共用电极；

所述第二基板包括：设置于相对于第一基板的内侧的多条相互绝缘相交的扫描线和数据线，所述多条扫描线和数据线限定多个子像素区域；所述子像素区域包括开关元件及子像素电极；所述开关元件与所述扫描线、数据线以及子像素电极电连接；

在第一共用电极和子像素电极获得驱动信号时，第一共用电极和子像素电极之间形成驱动液晶分子预倾的斜向电场。

可选地，所述液晶分子层的液晶分子为负性液晶。

可选地，所述子像素区域为矩形，其长边尺寸范围包括：60μm～150μm。

可选地，相邻所述子像素电极间的距离与子像素电极的长边尺寸之比的范围包括：1/12～1/2。

可选地，所述开关元件为薄膜晶体管，包括：栅极，电连接于扫描线，用于根据扫描线进行导通或关断操作；源极，电连接于数据线，用于接收数据信号；漏极，电连接于子像素电极。

可选地，所述开关元件和所述扫描线设置在所述子像素电极的中间区域。

可选地，所述开关元件和所述扫描线对应的矩形区域设置为反射区，所述反射区设置有反射金属层。

可选地，所述反射金属层的下面设置有反射凸起，用于实现漫反射。

可选地，所述反射区的液晶盒厚为透射区液晶盒厚的一半。

可选地，相邻所述子像素电极的边缘设置有预倾凸起，所述反射凸起和所述预倾凸起的材料都为有机膜，并且在同一步骤中形成。

可选地，相邻所述子像素电极的边缘设置预倾凸起。

可选地，所述预倾凸起具有斜面，所述斜面朝向相邻的子像素电极的中心区域。

可选地，所述斜面与水平面之间的夹角范围包括30度～70度。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：