[发明专利]闪存存储器的位线控制电路无效
| 申请号： | 201110376872.4 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137204A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 金建明;姚翔 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 控制电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种闪存存储器的位线控制电路；包括：
相邻两个存储单元A和B；
存储单元A和B的位线分别为BL1和BL2；
存储单元A和B共有的源极信号线SL；
存储单元A和B共有的SONOS线和字线分别为WLS和WL；
位线写控制电路D，晶体管M10和晶体管M11控制BL1；
晶体管M12和晶体管M13控制BL2；
字线译码及驱动电路C；
其特征在于，
在晶体管M11及晶体管M13之前加入一个N型晶体管M14，晶体管M14的漏极、栅极、源极分别接负位线控制晶体管的域值电压VNEG_C、负高压信号VNEG_HALF、负高压信号VNEG，其衬底接负高压信号VNEG；
位线控制晶体管的域值电压VENG_C接至晶体管M11和晶体管M13的漏极；
由负高压信号VNEG_HALF的电位决定负高压信号VNEG是否进入位线。
2.如权利要求1所述的闪存存储器的位线控制电路，其特征在于，所述位线控制晶体管的域值电压要大于字线最后一级驱动的N型晶体管的域值电压。
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