[发明专利]具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能电池

权利要求书

1.一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法是使用耐蚀刻的材料，以印刷方式涂布于一硅半导体基板的前表面上，经固化后作为屏蔽层，使受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域不受蚀刻剂侵蚀，而仅对未受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域进行蚀刻，以在该硅半导体基板的前表面产生数条弯曲状沟槽，且该些数条弯曲状沟槽在几何图形上至少具有一条轨迹不含有长度超过该硅半导体基板尺寸的最小径长五分之二的直线线段；

其中，上述硅半导体基板掺杂有致使其具有特定电性的掺杂元素，且该些数条弯曲状沟槽的深度至少为该硅半导体基板厚度的六分之一，以及该些数条弯曲状沟槽的开口宽度至少为30微米。

2.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条弯曲状沟槽的线条在几何图形上由非直线线段的曲线构成。

3.如权利要求2所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条非直线线段的曲线至少含有一处交错的状态。

4.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条弯曲状沟槽的线条在几何图形上由数条直线线段构成。

5.如权利要求4所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条直线线段至少含有一处交错的状态。

6.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条弯曲状沟槽的线条在几何图形上由非直线线段的曲线以及直线线段混合构成。

7.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条弯曲状沟槽的线条在几何图形上由数条直线线段构成，且在该硅半导体基板相邻导流排之间的至少一个1平方公分的正方形完整面积内至少具有一条直线的转折，该转折形成两直线线段夹角不属于160度与200度之间的角度。

8.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述蚀刻剂为进行干蚀刻所用的化学气体或进行湿蚀刻所用的化学药水。

9.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述耐蚀刻的材料为一种至少含氧化硅、高分子聚合物、金属或金属化合物的膏状物。

10.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板的前表面含有粗纹化结构，且该些弯曲状沟槽区域之外的表面具有一作为减缓掺杂元素扩散进入该硅半导体基板内部的阻挡层，并在掺杂元素扩散进入该些弯曲状沟槽区域表面时形成一与该硅半导体基板电性相反的第一电性层，以及同时在未受蚀刻的非沟槽区域表面形成一第二电性层，且该第一电性层的掺杂浓度不小于该第二电性层的掺杂浓度。

11.如权利要求10所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一电性层以及该第二电性层形成于该硅半导体基板之后，成长一介电质层于该硅半导体基板前表面。

12.如权利要求10所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一电性层以及该第二电性层形成于该硅半导体基板之后，成长一第一介电质层以及一第二介电质层于该硅半导体基板前表面。

13.如权利要求12所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一介电质层至少含有氧化硅，该第二介电质层至少含有氮化硅，且该氧化硅为二氧化硅或硅氧化物SiOx，其中x≠2。

14.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板的前表面含有粗纹化结构以及一介电质层，且前表面的硅半导体基板区域含有使其具有P-N接面的掺杂元素，于该些弯曲状沟槽形成后，对该硅半导体基板进行高温掺杂元素的扩散，并于该些弯曲状沟槽区域的表面形成与该硅半导体基板电性相反的电性层，其掺杂浓度不小于未受蚀刻的非沟槽区域的掺杂浓度。

15.如权利要求14所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板的前表面的介电质层至少包含二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅之一。