[发明专利]改善锗硅膜层厚度均一性的方法无效
| 申请号： | 201110388437.3 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137444A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 钱志刚;季伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 锗硅膜层 厚度 均一 方法 | ||
【权利要求书】：
1.改善锗硅膜层厚度均一性的方法，其特征在于，在常规的锗硅膜低温外延生长工艺中，在生长锗硅膜之前的任意一个或多个连续的步骤中，用常温气体吹承载硅片的基座，所述常温气体中不含有能够刻蚀所述基座的气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述常温气体的流量大于生长锗硅膜时的反应源气体的流量。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述常温气体的流量为20～50升/分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，反应腔的压力为5～800托。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述常温气体为氢气或氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
