[发明专利]一种过滤X射线参考辐射的能谱分析方法无效
申请号: | 201110393393.3 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN103135125A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 牛强;张庆利;金成赫;韦应靖;黄亚雯 | 申请(专利权)人: | 中国辐射防护研究院 |
主分类号: | G01T1/36 | 分类号: | G01T1/36 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;任晓航 |
地址: | 030006 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 过滤 射线 参考 辐射 谱分析 方法 | ||
1.一种过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,包括如下步骤:
(1)建立由探测器、数字化谱仪、计算机组成的能谱测量系统,并对能谱测量系统进行能量刻度,测量得到过滤X射线的测量谱;
(2)用蒙特卡罗模拟和数学插值的方法确定能谱测量系统的响应矩阵;
(3)对测量得到的测量谱进行剥谱法和反卷能谱法分析,得到了过滤X射线的注量谱,并与理论计算谱进行比较。
2.如权利要求1所述的过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,其特征在于:所述的能谱测量系统的探测器为HPGe探测器。
3.如权利要求1或2所述的过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,其特征在于:步骤(1)中对能谱测量系统进行能量刻度的方法如下:取一同位素刻度源,接近探测器放置,开始测量其能谱;一段时间后,测量谱中出现明显的峰,将峰中心能量对应道址的能量改为该同位素刻度源的能量;再另取一不同能量的同位素刻度源,用相同的办法进行能量刻度;反复进行几次,挑选的同位素刻度源能量应能够覆盖即将测量连续X射线的能量范围。
4.如权利要求3所述的过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,其特征在于:步骤(1)中对能谱测量系统进行能量刻度所选用的同位素刻度源包括:137Cs、241Am、152Eu、133Ba。
5.如权利要求1或2所述的过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,其特征在于:步骤(2)中所述的蒙特卡罗模拟方法是首先对HPGe探测器及周围的其他实验装置和环境进行数学建模,然后通过模拟大量由放射源发射并通过HPGe探测器的单个X光子的历史,统计每个X光子在HPGe探测器中沉积的能量,得到服从统计分布的在HPGe探测器中能量沉积的分布。
6.如权利要求5所述的过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,其特征在于:在蒙特卡罗模拟计算中使用MCNP5程序提供的F8计数类型卡记录光子在晶体中沉积的能量脉冲的幅度分布,然后选用计数特殊处理卡GEB对脉冲能量幅度分布进行高斯展宽。
7.如权利要求5所述的过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,其特征在于:步骤(2)中所述的数学插值的方法是采用分段内插的方式,得到能量范围为6keV~305keV的光子在能谱测量系统中的完整的响应矩阵。
8.如权利要求1或2所述的过滤X射线参考辐射的能谱分析方法,其特征在于:步骤(3)中从测量谱得到注量谱是通过Gold反卷算法求解线性方程组M=R×F,其中,F为注量谱,R为响应矩阵,M是实验测量得到的测量谱。
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