[发明专利]一种光电高温传感器的光学系统无效
申请号: | 201110397203.5 | 申请日: | 2011-12-04 |
公开(公告)号: | CN103135230A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 张国琦 | 申请(专利权)人: | 飞秒光电科技(西安)有限公司 |
主分类号: | G02B27/00 | 分类号: | G02B27/00;G02B7/02;G02B7/00;G01K11/32 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 李子安 |
地址: | 710119 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 高温 传感器 光学系统 | ||
技术领域
本发明属于传感器技术领域,尤其是涉及一种光电高温传感器的光学系统。
背景技术
光电式温度传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器,它是测量温度变化并转换为光信号变化,再通过光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器具有精度较高、反应快、结构简单等特点,因此,目前在检测和控制上光电传感器得到非常广泛的应用。但在应用时仍有测量范围有限,精度有限,易受干扰等问题,对系统测量有一定影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种光电高温传感器的光学系统,其结构紧凑,设计合理,实现方便,隔热性好,抗干扰能力强,测量精度高,造价低,有助于解决现有技术中光电高温传感器测量范围有限、精度有限、易受干扰等缺陷和不足,使用效果好,可广泛使用。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种光电高温传感器的光学系统,其特征在于:包括壳体、平行安装在壳体中的前置光阑和后端光阑,所述前置光阑和后端光阑之间安装有透镜,所述透镜通过透镜紧固器固定在壳体内壁上,所述壳体的前端安装用于将光传导到壳体内部的光纤,所述壳体的后端内部安装有光学滤光片。
上述的一种光电高温传感器的光学系统,其特征在于:所述壳体由金属材料制备而成。
上述的一种光电高温传感器的光学系统,其特征在于:所述透镜为半凸透镜。
上述的一种光电高温传感器的光学系统,其特征在于:所述光纤的出口端密封在壳体内。
上述的一种光电高温传感器的光学系统,其特征在于:所述前置光阑位于透镜的焦点以内。
本发明与现有技术相比具有以下优点:
1、本发明由壳体、平行安装在壳体中的前置光阑和后端光阑、安装在前置光阑和后端光阑之间的透镜、安装在壳体前端的光纤以及安装在壳体后端内部的光学滤光片构成;本发明的结构紧凑,设计合理,实现方便。
2、本发明中的壳体采用金属材料制成,隔热性好,壳体内部密闭,具有较强的抗干扰能力。
3、本发明同时采用前置光阑和后端光阑滤除杂散光,消除对系统测量精度的影响,测量精度高。
4、本发明造价低,使用效果好,可广泛应用于光纤式光电高温传感器结构中。
综上所述,本发明结构紧凑,设计合理,实现方便,隔热性好,抗干扰能力强,测量精度高,造价低,有助于解决现有技术中光电高温传感器测量范围有限、精度有限、易受干扰等缺陷和不足,使用效果好,可广泛使用。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
附图标记说明:
1-光纤; 2-前置光阑;3-透镜;
4-透镜紧固器;5-后端光阑;6-壳体;7-光学滤光片。
具体实施方式
如图1所示,本发明包括壳体6、平行安装在壳体6中的前置光阑2和后端光阑5,所述前置光阑2和后端光阑5之间安装有透镜3,所述透镜3通过透镜紧固器4固定在壳体6内壁上,所述壳体6的前端安装用于将光传导到壳体6内部的光纤1,所述壳体6的后端内部安装有光学滤光片7。
如图1所示,本实施例中,所述壳体6由金属材料制备而成。所述透镜3为半凸透镜。所述光纤1的出口端密封在壳体6内。所述前置光阑2位于透镜3的焦点以内。
本发明的工作原理及工作过程是:光纤1对辐射光进行传输并传输到壳体6内,壳体6内的前置光阑2对经由光纤1入射的辐射光进行滤除杂散光,之后经过透3镜将光线进行准直,然后经过后端光阑5再次滤除杂散光,最后经过光学滤光片7选择频谱滤光。
本发明的整体结构紧凑,利用透镜紧固器4对透镜3进行固定,同时采用前置光阑2和后端光阑5滤除杂散光,消除对系统测量精度的影响,测量精度高。
本发明的壳体6采用金属材料制成,壳体内部密闭,具有较强的抗干扰能力。本发明能够广泛地应用于光纤式光电高温传感器结构中。
综上所述,本发明结构紧凑,设计合理,实现方便,隔热性好,抗干扰能力强,测量精度高,造价低,有助于解决现有技术中光电高温传感器测量范围有限、精度有限、易受干扰等缺陷和不足,使用效果好,可广泛使用。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明作任何限制,凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化,均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
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