[发明专利]一种通用型NMOS开关管驱动电路无效
| 申请号： | 201110425732.1 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102780476A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 董红政;张波;张伟民;郭超;姚雷博;段晓明;郑玉丽 | 申请（专利权）人： | 洛阳理工学院 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H02J7/00 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 霍彦伟 |
| 地址： | 471023 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通用型 nmos 开关 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种通用型NMOS开关管驱动电路，包括控制装置，其特征在于：控制装置与放电控制电路、充电控制电路相连。
2.根据权利要求1所述的通用型NMOS开关管驱动电路，其特征在于：所述充电控制电路包括三极管Q6，三极管Q6集电极和发射极之间连有电容C2，三极管Q6的基极与电阻R8相连、集电极与R7相连，三极管Q6的集电极与三极管Q7的基极相连、三极管Q6的发射极与三极管Q7的发射极相连，三极管Q7的集电极与第一稳压电路相连，第一稳压电路与NMOS管Q8的栅极相连，NMOS管Q8漏极与第二稳压电路相连。
3.根据权利要求1所述的通用型NMOS开关管驱动电路，其特征在于：所述放电控制电路包括三极管Q3，三极管Q3的集电极和发射极之间连有电容C1，三极管Q3的基极与电阻R2相连，三极管Q3的集电极与R1、三极管Q4的基极相连，三极管Q4的发射极与三极管Q3的发射极相连，三极管Q4的集电极、发射极之间连有第三稳压电路，第三稳压电路为NMOS管Q5提供栅极电压，NMOS管Q5的漏极与第四稳压电路相连。
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