[发明专利]用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物无效
申请号: | 201110428014.X | 申请日: | 2011-12-19 |
公开(公告)号: | CN102585833A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 李友兰;李石;李铉奎;郑敬燮 | 申请(专利权)人: | 东友FINE-CHEM股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;周义刚 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 包含 mo ti 合金 氧化 刻蚀 溶液 组合 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于包含钼(Mo)和钛(Ti)的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物。
背景技术
作为半导体器件或平板显示器的电极,包含Mo和Ti的合金层以及氧化铟层可以通过湿法刻蚀或干法刻蚀来进行刻蚀。包含Mo和Ti的合金层以及氧化铟层可以通过单一的刻蚀溶液组合物来进行刻蚀。但是,当使用当前使用的已开发的刻蚀溶液组合物刻蚀由包含Mo和Ti的合金层以及氧化铟层组成的双层时,可能会导致差的刻蚀剖面。
发明内容
因此,本发明紧记相关技术中存在的上述问题,并且本发明的目的在于提供一种刻蚀溶液组合物,该刻蚀溶液组合物可有效刻蚀用作半导体器件或平板显示器的电极的包含Mo和Ti的合金层、氧化铟层以及由合金层和氧化铟层组成的双层。
本发明的另一个目的是提供一种刻蚀溶液组合物,该刻蚀溶液组合物可展示良好的刻蚀剖面,保存液体化学品能力强,因此很稳定。
本发明的另一个目的是提供一种刻蚀溶液组合物,即使基板尺寸很大,但是该刻蚀溶液组合物也可维持刻蚀均匀度。
为实现上述目的,本发明提供一种用于包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀溶液组合物,基于该组合物的总重量,该刻蚀溶液组合物包括5~30wt%的H2O2、0.01~5wt%的含氟化合物、0.1~5wt%的可溶于水的环胺化合物、0.01~10wt%的无机酸;和余量的水。
另外,本发明提供一种平板显示器,该平板显示器包括用上述刻蚀溶液组合物刻蚀的电极。
附图说明
结合附图,从下面的具体描述中很容易理解本发明的上述和其他目的、特征和进一步的优势,其中:
图1至图3是显示由包含Mo和Ti的合金层和氧化铟层组成的双层的表面的显微镜图像,其中,该双层由实例1至3中的刻蚀溶液组合物刻蚀;
图4至图7是显示由包含Mo和Ti的合金层和氧化铟层组成的双层的表面的显微镜图像,其中,该双层由比较例1至4中的刻蚀溶液组合物刻蚀。
具体实施方式
下文将具体描述本发明。
根据本发明的刻蚀溶液组合物用于刻蚀包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层。该包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层可以是像素电极。
根据本发明的刻蚀溶液组合物包括H2O2、含氟化合物、可溶于水的环胺化合物、无机酸和水。
在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,H2O2是用于氧化包含Mo和Ti的合金层、氧化铟层以及包含合金层和氧化铟层的双层的主要氧化剂。而且,基于该组合物的总重量,H2O2的含量为5~30wt%,特别为10~25wt%。如果H2O2的量低于上述范围的下限,则刻蚀能力就会变差。相反,如果H2O2的量超过上述范围的上限,则刻蚀速率可能会变得太快,从而难以控制刻蚀过程。
在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,含氟化合物是一种在水中离解以产生F离子的化合物。含氟化合物影响包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀速率,具体地,增加包含Mo和Ti的合金层或氧化铟层的刻蚀速率。
基于该组合物的总重量,含氟化合物的含量为0.01~5wt%的,特别为0.051wt%。如果含氟化合物的量低于上述范围的下限,则刻蚀速率可能会降低,且留下刻蚀残余物。相反,如果含氟化合物的量超过上述范围的上限,则刻蚀能力不会提升,且位于电极下方的保护层和金属层可能会恶化(deteriorate)。
对含氟化合物没有特别限制,只要其能用于本领域中就行。这种含氟化合物可从HF、NaF、NH4F、NH4BF4、NH4FHF、KF、KHF2、AlF3和HBF4组成的组中选择。特别有用的是NH4FHF。
在根据本发明的刻蚀溶液组合物中,可溶于水的环胺化合物保护位于电极下方的铜基金属层。
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