[发明专利]保护元件和具有该保护元件的半导体器件无效
| 申请号： | 201110451216.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593176A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 巽孝明 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 元件 具有 半导体器件 | ||
1.一种用于保护电路元件的保护元件，所述保护元件包括：
源极区域和漏极区域，其形成在半导体层中；
栅极，其形成在所述半导体层上，在所述栅极和所述半导体层之间夹着栅极绝缘膜；
源极，其连接到所述源极区域的表面，并电连接到地；
漏极，其连接到所述漏极区域的表面，并用于接收浪涌输入；以及
第一二极管，其连接在所述源极和所述栅极之间。
2.如权利要求1所述的保护元件，其中，多个所述第一二极管串联连接，且所述第一二极管的正方向朝向同一方向。
3.如权利要求1或2所述的保护元件，所述保护元件还包括第一电阻，所述第一电阻连接在所述漏极和所述栅极之间。
4.如权利要求3所述的保护元件，所述保护元件还包括第二电阻和第二二极管，所述第二电阻与所述第一二极管并联连接，所述第二二极管与所述第一电阻串联连接。
5.如权利要求1或2所述的保护元件，其中，
所述保护元件包括多个由所述源极区域、所述漏极区域、所述栅极、所述源极和所述漏极构成的MOS结构，且
所述第一二极管公共连接到所述多个MOS结构。
6.如权利要求3所述的保护元件，其中，
所述保护元件包括多个由所述源极区域、所述漏极区域、所述栅极、所述源极和所述漏极构成的MOS结构，且
所述第一二极管和所述第一电阻公共连接到所述多个MOS结构。
7.如权利要求4所述的保护元件，其中，
所述保护元件包括多个由所述源极区域、所述漏极区域、所述栅极、所述源极和所述漏极构成的MOS结构，且
所述第一二极管、所述第一电阻、所述第二二极管和所述第二电阻公共连接到所述多个MOS结构。
8.一种半导体器件，其包括电路元件和用于保护所述电路元件的保护元件，其中，
所述保护元件是由前述权利要求1-7中任一权利要求所述的保护元件构成，以及
所述保护元件的所述源极区域和所述漏极区域连接到所述电路元件。
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