[发明专利]一种片库腔体充氮装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种片库腔体的充大气装置，特别地涉及离子注入机，属于半导体器件制造领域。

背景技术

在半导体生产工艺的晶片注入过程中，晶片的表面及体内均会增加一些其他粒子，这些粒子的污染能使器件阀电压降低、速度下降、成品率下降，而严重污染的晶片甚至无法制成器件，在粒子污染当中，表层粒子的产生是由于低能离子、低速中性原子对晶片的碰撞及粘附，体内微粒的产生原因是高能离子和高速中性原子对晶片的掺杂。

在半导体制造工艺中，每一批晶片注入后，靶室片库腔体的充氮系统就会往片库中送入氮气，而氮气是中性原子，属于低能粒子，在充气过程中如果正对着晶片的话，这些低能粒子就会沾附在晶片的表面或较浅的位置，从而带来粒子污染，降低晶片及器件性能。因而研发一种能够减少晶片充氮过程中低能粒子污染的充氮装置是必要的。

发明内容

本发明是针对靶室片库腔体在充氮过程中低能中性粒子对晶片的污染，而提出的一种以降低晶片颗粒污染的靶室片库腔体充氮装置。

本发明通过以下技术方案实现：

一种片库腔体充氮装置，包括：小法兰(2)、光滑放气板(3)、粗糙放气板(4)、三个连接螺柱(5)、大法兰(6)、O型圈(7)，所述的光滑放气板(3)与大法兰(6)通过连接螺柱(5)连接；所述的粗糙放气板(4)固定在小法兰(2)上，中间设置有O型圈(7)；所述的小法兰(2)和大法兰(6)连接；所述的大法兰(6)固定在片库上。

所述的粗糙放气板的表面粗糙度大于12.5μm。

本发明的显著优点为：该装置能够使氮气在充入靶室片库腔体的过程中，不对晶片正面方向，而从晶片四周缓慢地流入，过滤工业氮气中颗粒比较大的微粒，避免了晶片在充氮的过程中低能粒子的污染。

附图说明

图1为一种片库腔体充氮装置的结构图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细介绍，但不作为对本发明的限定。

参考图1，一种片库腔体充氮装置，其包括：小法兰(2)、光滑放气板(3)、粗糙放气板(4)、三个连接螺柱(5)、大法兰(6)、O型圈(7)。其中光滑放气板(3)与大法兰(6)通过连接螺柱(5)连接，粗糙放气板(4)固定在小法兰(2)上，中间安装有O型圈(7)，小法兰(2)和大法兰(6)连接，大法兰(6)通过挂钩螺钉固定在片库(1)上。片库(1)选用锻铝材料、小法兰(2)选用硬铝材料、光滑放气板(3)选用不锈钢材料、粗糙放气板(4)选用不锈钢材料、连接螺柱(5)选用不锈钢材料、大法兰(6)选用不锈钢材料。

当靶室片库腔体(1)通过气体入口(8)充氮时，光滑放气板(3)起到阻挡气流的作用，使氮气平稳的向四周流动，粗糙放气板(4)表面粗糙度选为12.5，类似磨沙结构，它与小法兰(2)之间设置一个O型圈(7)，氮气流通过光滑放气板3从四周向下流动到达粗糙放气板(4)，经由粗糙放气板(4)与O型圈(7)之间的空隙沿着粗糙放气板(4)的圆周充入靶室片库腔体(1)。这种结构，不仅有效地阻止了氮气从上往下直接冲击晶片，而且粗糙放气板(4)的结构也阻止了氮气中大颗粒杂质的进入，从而避免了低能粒子对晶片的污染。

本发明的特定实施例已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。