[实用新型]一种母线槽插接口装置有效
申请号: | 201120138344.0 | 申请日: | 2011-05-04 |
公开(公告)号: | CN202058940U | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 陶运喜;杜甫;冯成华;宋显凤;曾伟清;何耀坤 | 申请(专利权)人: | 施耐德(广州)母线有限公司 |
主分类号: | H01R13/46 | 分类号: | H01R13/46;H01R13/502;H01R13/52;H01R13/02;H01R13/73;H01R13/648;H01B5/02 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 黄培智 |
地址: | 510530 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 母线槽 接口 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及电气技术领域,尤其涉及一种母线槽插接口装置。
背景技术
现有技术中的母线槽插接口,采用焊接的导体及普通的热塑性材料制作的绝缘支架,其存在着以下缺点:(1)、加工困难,制造成本高,且导体的导电性能、导热性能会因焊接而减弱;(2)、电气安全可靠性低,焊接质量很难被保证,当导体在焊接处出现虚焊时,会造成导体温升过高,可能会造成电气事故,且普通的热塑性材料不具有高强度的电气绝缘性能,且寿命较低,当长时间使用时会发生绝缘性能失效;(3)、普通的绝缘支架结构简单,强度及承受载荷的能力较低,且爬电距离较近,不能满足较高的电气要求。
实用新型内容
本实用新型提供了一种母线槽插接口装置,可以避免导体的焊接质量问题,且加工容易、成本低,且安全性能高、能满足较高的电气要求。
本实用新型的技术方案是:一种母线槽插接口装置,包括:采用热固性树脂成型的绝缘支架,在该绝缘支架上分别设有与采用压拱成型技术制成的A相导体、B相导体、C相导体和N相导体相配合的槽,并在该绝缘支架上设有固定孔及地线连接孔。
本实用新型的母线槽插接口装置,在绝缘支架上分别设有与采用压拱成型技术制成的A相导体、B相导体、C相导体和N相导体相配合的槽,取电安装时只需将该A相导体、B相导体、C相导体和N相导体直接插入到绝缘支架上设的相应槽中即可,可以避免导体的焊接质量问题,且加工容易、成本低,且安全性能高,不会造成电气事故;另外,绝缘支架采用热固性树脂成型,绝缘性能好、寿命长、强度及承受载荷能力高、爬电距离长,能满足较高的电气要求。
附图说明
图1是本实用新型采用压拱成型技术制成的A相导体、B相导体、C相导体和N相导体的结构示意图;
图2是本实用新型的母线槽插接口装置的结构示意图;
图3是图2中的母线槽插接口装置与母线槽的装配示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施例做一详细的阐述。
本实用新型的母线槽插接口装置,与母线槽装配使用,如图2,包括:采用热固性树脂成型的绝缘支架5,在该绝缘支架5上分别设有与采用压拱成型技术制成的A相导体、B相导体、C相导体和N相导体相配合的槽11、12、13、14,并在该绝缘支架5上设有固定孔7及地线连接孔6,该固定孔位于绝缘支架5的两侧,用于固定绝缘支架5,地线连接孔6用于连接地线,槽11、12、13、14相间分布,以保证间隔距离。
其中采用压拱成型技术制成的A相导体、B相导体、C相导体和N相导体的形状示意图如图1所示,A相导体1(常用标号L1)、B相导体2(常用标号L2)、C相导体3(常用标号L3)、N相导体4(常用标号N)分别压拱出一定高度,且相间分布与槽11、12、13、14相配合。实际应用中,A相导体1插入连接到相配合的槽11中,B相导体2插入连接到相配合的槽12中,C相导体3插入连接到相配合的槽13中,N相导体4插入连接到相配合的槽14中,可以避免导体的焊接质量问题,不会出现焊接造成的母线槽温升过高问题,提高线路的载流量,且加工容易、成本低,且安全性能高,不会造成电气事故。
绝缘支架5采用热固性树脂成型,其绝缘性能好,能保护相与相之间的绝缘,且寿命长、强度及承受载荷能力高、爬电距离长,能满足较高的电气要求。
在一较优实施例中,A相导体1和N相导体4的压拱高度一致,B相导体2和C相导体3的压拱高度一致,这样可以保证整个结构的对称性,保证相间、相地的高可靠绝缘性,防止出现相间瞬间放电、闪弧等电气危害,提高电气安全性。
在一较优实施例中,在绝缘支架5上还设有门盖8,可保证对安装操作人员的安全,同时可以达到更高的保护等级。另外也可以在门盖8和绝缘支架5之间设有防水海绵15,以提高防水效果。
本实用新型的母线槽插接口装置与母线槽的装配示意图如图3所示,插接口装置固定在母线槽9附近(图3所示插接口装置固定在母线槽9之间),以便母线槽9里的导体插入连接到插接口装置里。
以上所述的本实用新型实施方式,并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。
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