[实用新型]一种可控硅芯片与钼片的烧结模具有效
申请号: | 201120233831.5 | 申请日: | 2011-07-05 |
公开(公告)号: | CN202159649U | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 王琳;吴家健 | 申请(专利权)人: | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/50 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 卢海洋 |
地址: | 226200 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可控硅 芯片 烧结 模具 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种可控硅芯片与钼片的烧结模具,属于半导体器件的封装技术领域。
背景技术
目前电力半导体器件的模块(包括模块和固态继电器)应用十分广泛,生产厂家也很多,但是在钼片与硅芯片的烧结过程多数不太规范,特别是对硅芯片与钼片的定位上,一般都比较粗疏,往往造成硅芯片和钼片的错位,使产品的通流能力和外观品相受到不同程度的影响。因此,需要提供一种新的技术方案来解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种定位精确的可控硅芯片与钼片的烧结模具。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种可控硅芯片与钼片的烧结模具,包括烧结模具本体,所述烧结模具本体上设有多个中间开有便于纵向排气的孔,所述便于纵向排气的孔下方设有便于横向排气的孔,所述便于纵向排气的孔的顶部从上到下依次设有上层定位台阶、中层定位台阶和下层定位台阶,所述烧结模具本体四周开有台阶。
所述下层定位台阶的直径<中层定位台阶的直径<上层定位台阶的直径。
本实用新型的有益效果是:
1、模具材料采用电子石墨,可以保证在烧结过程中良好的传热,另外,因为石墨的膨胀系数很小(2.4×10-4),所以在烧结后的冷却过程不会因为模具收缩而损伤硅芯片。
2、为了保证烧结过程中焊膏中助焊剂的充分溢出,在烧结模具的结构形状上留出了各个方向的排气孔,这样一方面可以保证在真空炉中烧结时,可以顺畅的排出气体,另一方面还可以将焊膏中的助焊剂在烧结过程中顺利地排出。
3 、模具采取了对组件的三层零件分层独立定位的方法(模具定位台阶的尺寸比对应的待装零件尺寸要大0.15mm,以保证零件装配时有合理的间隙,同时还要保证烧结过程工件热膨胀的余地),确保了产品零件的可靠定位。
4 、为了提高生产效率,模具采取了积木式多层叠装的结构形状,可以大大的提高生产效率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1中A-A向的剖视图。
其中:1、烧结模具本体,2、便于纵向排气的孔,3、便于横向排气的孔,4、上层定位台阶,5、中层定位台阶,6、下层定位台阶,7、台阶。
具体实施方式
如图1和2所示,本实用新型的一种可控硅芯片与钼片的烧结模具,包括烧结模具本体1,烧结模具本体1上设有多个中间开有便于纵向排气的孔2,便于纵向排气的孔2下方设有便于横向排气的孔3,便于纵向排气的孔2的顶部从上到下依次设有上层定位台阶4、中层定位台阶5和下层定位台阶6,烧结模具本体1四周开有便于叠放的台阶7,下层定位台阶6的直径<中层定位台阶5的直径<上层定位台阶4的直径。
模具材料采用电子石墨,可以保证在烧结过程中良好的传热,可以使产品的三层零件可靠的定位;导热性能好,方便于烧结过程的热传导;模具的通透性能好,可以便于真空的抽取和焊膏中助焊剂的排除;采用了积木式结构,便于大批量生产效率的提高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造