[实用新型]一种大功率发光二极管封装结构有效
申请号: | 201120273022.7 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN202183414U | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 张波;谢骅 | 申请(专利权)人: | 宁波市鄞州皓升半导体照明有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人: | 陈辉 |
地址: | 315100 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种大功率发光二极管封装结构,其特征在于:包括一基板以及固定于基板上的发光二极管芯片,其特征在于所述的基板和芯片以金锗锡合金焊接而成。
2.根据权利要求1中所述的大功率发光二极管封装结构,其特征在于所述金锗锡合金为Au60Ge20Sn20。
3.根据权利要求1或2中所述的大功率发光二极管封装结构,其特征在于所述发光二极管芯片背部镀有金属Ag、Al、Ti、Ni、Au的一种或者几种。
4.根据权利要求1中所述的大功率发光二极管封装结构,其特征在于所述的基板为金属基板或陶瓷基板,基板上镀有金属铜或镍。
5.根据权利要求1中所述的大功率发光二极管封装结构,其特征在于所述芯片的外层设有银光粉层,所述银光粉层的外围还设有硅胶透镜层。
6.根据权利要求5中所述的大功率发光二极管封装结构,其特征在于所述的硅胶透镜为半圆形或者弧形。
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