[实用新型]具有电磁信号保护作用的非接触IC卡有效

专利信息
申请号: 201120302384.4 申请日: 2011-08-19
公开(公告)号: CN202183113U 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 周刚;张国霞;宋丹;骆虎 申请(专利权)人: 武汉市工程科学技术研究院
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 潘杰
地址: 430019*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 电磁 信号 保护 作用 接触 ic
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种非接触IC卡,特别涉及一种具有电磁信号保护作用的非接触IC卡。

背景技术

目前,非接触IC卡以其良好的性能和较高的性价比在全世界都有着广泛的应用,为了保证卡在各种场合下能安全正常的使用,卡内嵌入了很多优秀的密码算法,所以,普通情况下没有授权的人无法得到卡中的秘密信息。但是,随着科技的发展,仅有密码保护是不够的,某种攻击方式的攻击者可以不通过物理占有,而在与被攻击目标擦肩而过的一瞬间“借用”受害者的卡完成攻击,攻击过程可以在持卡人完全不知晓的情况下完成。这种攻击方式——接力攻击就是专针对非接触式IC卡应用系统的一种攻击方式。

因为非接触IC卡产品的使用不受时间、地点的约束,所以给攻击者提供了便利,而上述接力攻击又为攻击者提供了手段,因此非接触IC卡如何抵御接力攻击成为了焦点问题。现有专利公开了一种磁卡保护套以进行有效的电磁屏蔽保护,这种保护套主要构成是一个封套,它完全屏蔽了卡的信号,所以在使用时,必须将卡从该保护套内取出才能使用(否则读卡器读不出卡),而不使用时又要将卡放入保护套内。这种保护套使用非常不方便,且保护套增大了卡的体积,不利于装入口袋或钱包,携带不方便;而且在反复使用卡的过程中,来来回回的从保护套中抽取卡,易使卡或者卡套丢失。

发明内容

为了解决现有技术中由于保护套完全屏蔽了卡的信号,导致使用卡时,必须将卡取出才能使用,使用非常不便和携带不便的问题,本实用新型实施例提供了一种具有电磁信号保护作用的非接触IC卡。

所述技术方案如下:

一种具有电磁信号保护作用的非接触IC卡,包括:非接触IC卡本体和安装在非接触IC卡本体内的天线,所述非接触IC卡本体表面设有一种能缩短所述非接触IC卡本体数据读写距离的保护装置。

上述方案中,所述保护装置包括以序设置的第一导电胶粘合层、射频屏蔽层、第二导电胶粘合层和防静电层,所述第一导电胶粘合层直接与所述非接触IC卡本体贴合,所述四层结构构成所述保护装置,该保护装置能很好的起到阻挡或者衰减特定频率范围内的信号,以防止接力攻击的伪终端与非接触IC卡本体之间发生未经许可的数据传递。

上述方案中,所述保护装置覆盖非接触IC卡本体的四周及所述天线安装位置所对应的非接触IC卡本体上下表面的部位,这样,所述保护装置不完全屏蔽卡的信号,而只是减弱卡与读卡器之间的信号,从而缩短非接触IC卡本体的数据读写距离,起到防范接力攻击的作用;同时还可大大降低本卡的制造成本。

上述方案中,所述防静电层为具有良好的耐磨性能和弹性的防静电稠、防静电布或金属镀膜面料,当然,也可采用其它面料;所述射频屏蔽层为利用金属高初始磁导率及相应高衰减特性做成箔型或者板型的磁和射频屏蔽层当然,也可采用其它材料。

上述方案中,所述防静电层厚度为100~120μm;所述第二导电胶粘合层厚度为75~85μm;所述射频屏蔽层厚度为20~120μm;所述第一导电胶粘合层厚度为75~85μm。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是:本保护装置不完全屏蔽非接触IC卡本体的信号,而是使非接触IC卡本体只得到读卡器发出的部分磁场,这样,在非接触IC卡本体离读卡器(或接力攻击的伪终端)较远距离时,该部分磁场的强度与磁通量比正常使用时小,读卡器(或接力攻击的伪终端)就无法读取卡内数据,从而起到防范接力攻击的作用,这样本非接触IC卡无需来回从保护装置中抽插使用卡,使用方便;同时,本非接触IC卡只需对现有卡的外观稍作修改,并不过多影响卡本身的形状及大小,更无须在卡之外附加其他装置或者设备如卡套之类,所以携带也方便。

本实用新型具有结构简单,使用和携带方便且制造成本低等优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是本实用新型的俯视结构示意图。

图中,1非接触IC卡本体,11天线,2第一导电胶粘合层,3射频屏蔽层,4第二导电胶粘合层,5防静电层,6保护装置。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉市工程科学技术研究院,未经武汉市工程科学技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120302384.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top