[实用新型]一种提高光透过率的TCO玻璃的结构有效
申请号: | 201120351362.7 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN202210523U | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 郑仁毅;高娟;陈启聪;邢丽芬;戴溥男 | 申请(专利权)人: | 东旭集团有限公司;成都泰轶斯太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
代理公司: | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人: | 曲家彬 |
地址: | 050021 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 透过 tco 玻璃 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池制备技术领域,涉及一种新型的TCO玻璃,该TCO玻璃是由一个表面带圆形凸纹的玻璃基板和透明导电膜层组成,透明导电膜层位于基板玻璃的有凸纹侧。
背景技术
目前,由于世界可利用能源如煤炭、石油等的勘探量大幅度减少,如何找到可利用的新能源已经成为世界关注的课题,而太阳能作为一种新型的能源,无污染并且取之不竭,用之不尽成为了目前最为关注的热点能源。太阳能发电具有很多的优点,如安全可靠,建设周期短,维护简便,可以无人值守等,公开的太阳能光电转换是依靠的太阳能电池组件的电池片。由于非晶硅比晶硅能吸收更多的光强,故非晶硅电池组件成为目前研究的热点。TCO透明导电薄膜由于具有良好的导电性和高的可见光透过率,被广泛的应用在非晶硅电池薄膜领域。
虽然TCO透明导电薄膜具有良好的导电性和高的可见光透过率,但还是有一部分光被玻璃吸收或者反射,为了提高光的透过增加电池的光电转换效率,我们可以通过增加光透过玻璃的光程来达到减少光线反射的目的。
发明内容
本实用新型的目的是为了提高TCO玻璃的可见光透过率,提高投射在太阳能电池膜层上的光能量,进行提高太阳能电池转换效率的技术问题,设计了一种提高光透过率的TCO玻璃的结构,通过在玻璃基板上设置凸纹来增加光透过玻璃的光程,进而提高光透过率。
本实用新型为实现发明目的采用的技术方案是,一种提高光透过率的TCO玻璃的结构,包括玻璃基板和在玻璃基板上的透明导电膜层,关键是:所述的玻璃基板的一端面上设置有用凸纹分布形成的点阵结构,透明导电膜层位于带有凸纹的一侧。
本实用新型的优点是:与常规TCO玻璃制作工艺相比,省去了TCO薄膜表层刻蚀工艺过程,简化了制程工艺过程,节省了生产成本。本设计在生产过程中不需要刻蚀,因此减少了环境污染和对人身体的伤害。在成膜之后表面即具有半球形结构,和现有技术中的“金字塔”型以及圆锥形膜面相比,具有更好的光谱透过率和雾度。常规TCO玻璃采用的是平面的基板玻璃,表面很光滑,在成膜开始阶段,晶核形成比较困难。本设计的基板玻璃采用表面带凸纹的玻璃作为基板,表面粗糙度大,形成很多台阶结构,为TCO膜层晶核形成提供了便利条件,因此,可以在更低制程温度下进行。
下面结合附图对本实用新型进行详细说明。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
1是基板玻璃,1-1是凸纹,2是透明导电膜层。
具体实施方式
一种提高光透过率的TCO玻璃的结构,包括玻璃基板1和在玻璃基板1上的透明导电膜层2,所述的玻璃基板1的一端面上设置有用凸纹1-1分布形成的点阵结构,透明导电膜层2位于带有凸纹1-1的一侧。
上述的凸纹1-1的半径为0.01~0.1mm。
上述的凸纹1-1在玻璃基板1的密度为200~300个/cm2。
上述的玻璃基板1的厚度为3~4mm。
上述的透明导电膜层2的厚度为400~1000nm。
上述的透明导电膜层2的材质是ITO膜、或是FTO膜、或是AZO膜、或是BZO膜。
本实用新型采用表面带半球形凸纹的玻璃作为TCO玻璃的基板,在此基板玻璃1上镀透明导电氧化物TCO膜层。基板玻璃1的一端表面上带有半球形的凸纹,凸纹半径在0.01mm~0.1mm之间,凸纹密度可以根据太阳能电池制造工艺雾度的大小进行调整,以200个/cm2~300/cm2为宜。基板玻璃1的厚度可以为3.0mm,3.2mm,4.0mm,根据太阳能电池抗冲击抗风压要求进行调整,一般3.2mm以上厚度足以满足要求。基板玻璃1上的透明导电膜层2可以是ITO,FTO膜,AZO膜,BZO膜等透明导电氧化物膜层。这些膜层的光谱透过率比较高,而且电阻率小,有利于电能的输出。将透明导电氧化物均匀的镀在上述玻璃基板上,在玻璃表面就形成半球形凸纹膜面,透明导电膜层2厚度在400nm~1000nm之间。用此新型TCO玻璃光谱透过率在85%以上,雾度在12%左右,非常适合作薄膜太阳能电池的前板玻璃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的