[实用新型]碱金属和碱土金属的沉积系统

权利要求书

1.一种用于碱金属和碱土金属的沉积系统，包括：

真空室；

在所述真空室内的金属溅射靶，所述靶包括贴附到背板的靶材料，所述背板包括冷却通道；

在所述真空室内的基板固定器，所述固定器配置成保持基板，所述基板面对且平行于所述金属溅射靶；以及

多个功率源，所述多个功率源配置向在所述基板和所述靶材料之间点燃的等离子体施加能量；

其中所述靶材料是碱金属或碱土金属。

2.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述冷却通道的截面是圆形的、矩形的或者是锥形的。

3.如权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括泵和冷却单元，所述泵和冷却单元配置成经由所述冷却通道循环致冷剂。

4.如权利要求3所述的沉积系统，其中在低于零摄氏度的温度下向所述冷却通道提供所述致冷剂。

5.如权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括盖，所述盖配置成安装在所述靶材料上方，所述盖和所述金属溅射靶配置成在所述盖和所述金属溅射靶之间形成密封。

6.如权利要求5所述的沉积系统，其中所述盖包括把手，用于去除或者替换在所述沉积系统内的所述盖，所述沉积系统配置成适应自动去除所述盖并将所述盖存储在与所述金属溅射靶相邻的非溅射区域中。

7.如权利要求5所述的沉积系统，其中所述盖包括阀，用于提供在所述靶材料和所述盖之间的密封空间的通道，以便泵送、净化或者加压所述密封空间中的气体。

8.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述多个功率源包括耦合到所述靶的第一射频功率源和耦合到所述靶的第二射频功率源，所述第一射频功率源和所述第二射频功率源配置成向所述金属溅射靶提供不同频率。

9.如权利要求8所述的沉积系统，其中所述第一射频功率源控制靶材料自偏压，并且所述第二射频功率源控制所述等离子体中的离子密度。

10.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述多个功率源包括耦合到所述靶的射频功率源和耦合到所述靶的直流功率源。

11.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述多个功率源包括耦合到所述靶的射频功率源和耦合到所述靶的脉冲直流功率源。

12.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述沉积系统配置成结合到组合工具中。

13.如权利要求12所述的沉积系统，其中所述靶材料的表面积大于基板面积。

14.如权利要求1所述的沉积系统，其中所述沉积系统配置成结合到串联工具中。

15.如权利要求14所述的沉积系统，其中所述靶材料宽度大于基板宽度。

16.如权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括耦合到所述真空室的工艺气体源，所述工艺气体源包括惰性气体源，选择原子量小于所述靶材料原子量的所述惰性气体。

17.如权利要求1所述的沉积系统，所述沉积系统还包括耦合到所述真空室的工艺气体源，所述工艺气体源包括惰性气体源，所述惰性气体包括第一惰性气体和第二惰性气体，所述第一惰性气体的原子量小于所述靶材料的原子量，所述第二惰性气体的原子量大于所述靶材料的原子量。

18.如权利要求17所述的沉积系统，其中所述第一惰性气体是氦，所述第二惰性气体是氩，并且所述靶材料是锂。