[实用新型]低触发电压的双向SCR ESD保护电路

权利要求书

1.一种低触发电压的双向SCR ESD保护电路，包括第一导电类型衬底及位于所述第一导电类型衬底内的第二导电类型埋层；其特征是：所述第一导电类型衬底内对应第二导电类型埋层上方设有第二导电类型高压阱区，所述第二导电类型高压阱区内设有对称分布的第一导电类型第一阱区及第一导电类型第二阱区，所述第一导电类型第一阱区内设有第一导电类型第一注入区及第二导电类型第一注入区，第二导电类型第二阱区内设有第一导电类型第二注入区及第二导电类型第二注入区，所述第一导电类型第一阱区内的第二导电类型第一注入区邻近第二导电类型第二阱区内的第一导电类型第二注入区；第一导电类型衬底上对应第一导电类型第一阱区与第一导电类型第二阱区的外侧设有氧化隔离层，所述氧化隔离层覆盖相应的第二导电类型高压阱区；

第一导电类型第一阱区与第一导电类型第二阱区间设有第一导电类型第三阱区及第二导电类型第三注入区，所述第二导电类型第三注入区邻近第一导电类型第一阱区，第一导电类型第三阱区邻近第一导电类型第二阱区；第一导电类型第三阱区内设有第一导电类型第三注入区；第二导电类型第三注入区与第二导电类型第一注入区间通过第一导电类型衬底上的第一薄氧层及位于所述第一薄氧层上的第一多晶硅栅相连，第一导电类型第三注入区与第一导电类型第二注入区间通过第一导电类型衬底上的第二薄氧层及位于所述第二薄氧层上的第二多晶硅栅相连；第一多晶硅栅上耦合有电连接的第一电容（C1）及第一电阻（R1），第二多晶硅栅上耦合有电连接的第二电容（C2）及第二电阻（R2）；第二导电类型高压阱区通过第一导电类型衬底表面上的连接层与第一导电类型第三阱区、第一导电类型第三注入区等电位连接。

2.根据权利要求1所述的低触发电压的双向SCR ESD保护电路，其特征是：所述第一薄氧层与第二薄氧层为同一制造层，第一多晶硅栅与第二多晶硅栅为同一制造层。

3.根据权利要求1所述的低触发电压的双向SCR ESD保护电路，其特征是：所述第一导电类型第三阱区与第一导电类型第一阱区、第一导电类型第二阱区在第二导电类型高压阱区内的结深相同。