[发明专利]脑电波测量系统、脑电波测量方法及其程序

权利要求书

1.一种脑电波测量系统，具备：

脑电波测量部，其被配置在一个框体内，且由包括基准电极、测量电极和地线在内的多个电极构成，测量以所述地线为基准的所述基准电极与所述测量电极之间的脑电波信号；

电极位置存储部，在用户装载了所述脑电波测量部时，该电极位置存储部存储所述多个电极中的每个电极与所述用户接触的位置；

频率分析部，其至少按所述基准电极与所述测量电极组成的每个组、即脑电波测量频道，分析由所述脑电波测量部测量到的脑电波信号的频率功率；

不良情况电极判定部，其通过比较由所述频率分析部分析过的所述频率功率、和预先设定的第1阈值，从而判定每个电极的装载状态是否良好；和

不良情况要因推测部，其决定由所述不良情况电极判定部判定为装载状态不好的不良情况电极的数量、和参照由所述电极位置存储部存储的所述多个电极的位置而由所述不良情况电极判定部判定为装载状态不好的不良情况电极接触于用户的位置，参照将所述装载状态不好的不良情况电极的数量及所述不良情况电极接触于用户的位置、与电极的装载状态不好的要因对应起来的不良情况模式，推测与所决定的装载状态不好的不良情况电极的数量及装载状态不好的不良情况电极的位置相对应的、电极的装载状态不好的要因。

2.根据权利要求1所述的脑电波测量系统，其特征在于，

所述不良情况模式对应为：在不良情况所述装载状态不好的电极的数量大于第2阈值，且所述装载状态不好的不良情况电极的位置彼此相邻且连续的情况下，所述用户的头部形状与所述脑电波测量部的框体形状的不一致是所述装载状态不好的不良情况的要因。

3.根据权利要求1所述的脑电波测量系统，其特征在于，

所述不良情况电极判定部从所述频率功率的分析结果中提取所述噪声混入量的参数，在所述噪声混入量的参数的值超过预先设定的第3阈值的情况下，判定为所述地线的装载状态不好。

4.根据权利要求3所述的脑电波测量系统，其特征在于，

所述不良情况电极判定部进一步从所述频率功率的分析结果中提取总频率功率的参数，在所述总频率功率的参数的值超过预先设定的第2阈值的情况下，判定为所述基准极或所述测量极的装载状态不好。

5.根据权利要求1所述的脑电波测量系统，其特征在于，

所述脑电波测量部利用由包括所述地线、所述基准极和所述测量极在内的多个电极组成的多个组，测量每个组的脑电波信号，所述频率分析部分析各脑电波信号的频率功率，

所述不良情况电极判定部从各脑电波信号的频率的分析结果中提取噪声混入量的各参数，在所述噪声混入量的所有参数的值超过预先设定的第3阈值的情况下，判定为所述地线的装载状态不好，

从各脑电波信号的频率功率的分析结果中提取总频率功率的各参数，在所述总频率功率的所有参数的值超过第2阈值的情况下，判定为所述基准极的装载状态不好，在所述总频率功率的一部分参数的值超过所述第4阈值的情况下，判定为所述测量极的装载状态不好。

6.根据权利要求1所述的脑电波测量系统，其特征在于，

所述脑电波测量部测量作为所述地线与基准极之间的电位差的第1电位差、和作为所述地线与所述测量极之间的电位差的第2电位差，基于所述第2电位差和所述第1电位差之间的差分，测量所述脑电波信号。

7.根据权利要求1所述的脑电波测量系统，其特征在于，

在所述脑电波信号中重叠了以预先确定的频率从外部环境恒定地混入的噪声，所述不良情况电极判定部根据所述分析结果，将所述噪声的频率功率作为所述噪声混入量的参数来提取。

8.根据权利要求7所述的脑电波测量系统，其特征在于，

所述预先确定的频率是位于外部环境中的设备的商用电源噪声的频率。

9.根据权利要求1所述的脑电波测量系统，其特征在于，

所述脑电波测量系统还具备：输出部，其输出由所述不良情况电极推测部推测出的结果，

在所述不良情况电极判定部中没有检测到装载状态不好的不良情况电极时，所述输出部输出表示装载状态良好的显示。