[发明专利]半导体器件及其驱动方法

权利要求书

1. 一种半导体器件，包括：

位线；

源线；

电位变化电路；以及

存储器单元，

所述存储器单元包括：

    第一晶体管，包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及包含第一半导体的第一沟道形成区；

    第二晶体管，包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极和包含第二半导体的第二沟道形成区；以及

    电容器，

其中，所述第一半导体不同于所述第二半导体，

所述第一栅电极、所述第二漏电极和所述电容器的电极之一相互电连接，以便形成保持电荷的结点，

所述源线、所述电位变化电路的端子之一和所述第一源电极相互电连接，

所述位线、所述第二源电极和所述第一漏电极相互电连接， 

所述电位变化电路配置成有选择地将第一电位施加到所述源线或者将第二电位施加到所述源线，以及

所述第一电位等于所述位线的电位，而所述第二电位不同于所述位线的电位。

2. 如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二半导体是氧化物半导体。

3. 如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述电位变化电路配置成在导通所述第一晶体管的电位施加到所述结点时，将所述第一电位施加到所述源线。

4. 一种半导体器件，包括：

写字线；

读字线；

位线；

源线； 

电位变化电路；以及

存储器单元，

所述存储器单元包括：

    第一晶体管，包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极以及包含第一半导体的第一沟道形成区；

    第二晶体管，包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极和包含第二半导体的第二沟道形成区；以及

    电容器，

其中，所述第一半导体不同于所述第二半导体，

所述第一栅电极、所述第二漏电极和所述电容器的电极之一相互电连接，以便形成保持电荷的结点，

所述源线、所述电位变化电路的端子之一和所述第一源电极相互电连接，

所述位线、所述第二源电极和所述第一漏电极相互电连接，

所述读字线和所述电容器的电极中的另一个相互电连接，

所述写字线和所述第二栅电极相互电连接，以及

所述电位变化电路配置成有选择地将第一电位施加到所述源线或者将第二电位施加到所述源线，以及

所述第一电位等于所述位线的电位，而所述第二电位不同于所述位线的电位。

5. 如权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述第二半导体是氧化物半导体。

6. 如权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述电位变化电路配置成在导通所述第一晶体管的电位施加到所述结点时，将所述第一电位施加到所述源线。

7. 一种用于驱动半导体器件的方法，所述半导体器件中第一晶体管的栅电极、第二晶体管的漏电极和电容器的电极之一被电连接以形成保持电荷的结点，包括：

在导通所述第一晶体管的电位施加到所述结点时，使所述第一晶体管的源电极的电位和所述第一晶体管的漏电极的电位彼此相等，

其中，所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

8. 如权利要求7所述的用于驱动半导体器件的方法，

其中，所述第一晶体管的沟道形成区包括与所述第二晶体管的沟道形成区中的半导体材料不同的半导体材料。

9. 如权利要求7所述的用于驱动半导体器件的方法，

其中，通过电位变化电路控制连接到所述第一晶体管的源电极的源线的电位，使所述第一晶体管的源电极的电位和所述第一晶体管的漏电极的电位彼此相等。