[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件（1，101），包括：

衬底（10，110），所述衬底（10，110）由碳化硅制成，

外延生长层（20，120），所述外延生长层（20，120）由碳化硅制成并形成在所述衬底（10，110）上，

栅绝缘膜（30，130），所述栅绝缘膜（30，130）由绝缘体制成并布置为接触所述外延生长层（20，120），以及

栅电极（40，140），所述栅电极（40，140）布置为接触所述栅绝缘膜（30，130），

所述外延生长层（20，120）包括主体区（22，122），在所述主体区（22，122）中，通过对所述栅电极（40，140）施加电压而在与所述栅绝缘膜（30，130）相接触的区域形成反型层（29，129），

所述主体区（22，122）包括

低浓度区（22B，122B），所述低浓度区（22B，122B）布置在形成有所述反型层（29，129）的区域并包含低浓度杂质，以及

高浓度区（22A，122A），所述高浓度区（22A，122A）布置在形成有所述反型层（29，129）的区域，并且在所述反型层（29，129）中的载流子迁移方向上与所述低浓度区（22B，122B）相邻，所述高浓度区（22A，122A）包含高于所述低浓度区（22B，122B）中的浓度的杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体器件（1），其中，

所述高浓度区（22A）被布置在所述载流子迁移方向上的所述低浓度区（22B）的下游。

3.根据权利要求1所述的半导体器件（1，101），其中，

沟道长度小于或等于0.5μm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件（1，101），其中，

所述高浓度区（22A，122A）中的杂质浓度大于或等于1×10¹⁷cm^-3且小于或等于1×10¹⁸cm^-3。

5.一种制造半导体器件（101）的方法，所述方法包括以下步骤：

制备由碳化硅制成的衬底（110），

在所述衬底（110）上形成由碳化硅制成的外延生长层（120），

在所述外延生长层（120）形成主体区（122），

在所述外延生长层（120）的上方形成与该外延生长层（120）相接触的、由绝缘体制成的栅绝缘膜（130），以及

形成通过对其施加电压而在主体区（122）的与所述栅绝缘膜（130）相接触的区域中形成反型层（129）的栅电极（140），

所述形成主体区（122）的步骤包括以下步骤

在所述外延生长层（120）上形成具有开口（199A）的掩模层（199），

通过利用所述掩模层（199）作为掩模而实施离子注入，以在形成有所述反型层（29，129）的区域形成具有第一杂质浓度的第一浓度区（122A），

通过蚀刻所述掩模层（199）而扩大所述开口（199A），以及

通过使用具有扩大的所述开口（199A）的所述掩模层（199）作为掩模而执行离子注入，以在形成有所述反型层（129）的区域，在所述反型层（129）中的载流子迁移方向上与所述第一浓度区（122A）相邻地来形成具有不同于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二浓度区（122B）。