[发明专利]借助元数据标签的非规则奇偶校验分布检测

说明书

技术领域

本发明涉及非易失性存储器，比如闪速存储器的非规则奇偶校验分布，和借助元数据标签的非规则奇偶校验的检测。

背景技术

NAND闪速存储器，以及其它类型的非易失性存储器(“NVM”)通常用于大容量存储。例如，诸如便携式媒体播放器或者蜂窝电话之类的消费电子设备通常包括原闪速存储器（raw flash memory）或闪卡，以保存音乐、视频和其它媒体。

一些非易失性存储器，比如NAND闪速存储器，可具有包括初始缺陷，或者会在使用中形成缺陷的存储单元。另外，保存在可用的存储单元中的数据可能遭受其它引起错误的现象，比如读取扰动或者电荷保持问题。因此，为了确保能够正确地取回保存在这些存储单元中的数据，可以计算并连同数据一起保存“奇偶校验数据”。例如，可把纠错码应用于数据，以生成这样的奇偶校验数据。

此外，目前的消费电子设备通常可包括控制设备的操作并且执行对NVM的访问请求(例如，读取、写入或者擦除命令)的嵌入式系统。当最初向电子设备供电时，电子设备可扫描NVM，以确定NVM(例如，NVM的每一页)的内容。例如，在扫描期间，电子设备可识别与每一页相关的逻辑地址。

发明内容

公开了非易失性存储器(“NVM”)，比如闪速存储器(例如，NAND闪速存储器)中的非规则奇偶校验分布的系统和方法。此外，公开了借助元数据标签，检测这样的非规则奇偶校验分布的系统和方法。

在一些实施例中，可以提供可包括片上系统和NVM的电子设备。NVM可包括闪速存储器，比如NAND闪速存储器，或者任何其它适当类型的非易失性存储器。片上系统包括用于访问NVM的NVM接口。在一些实施例中，NVM接口可以从文件系统接收把用户数据保存在NVM中的写入请求和/或取回(例如，读取或者以其它方式访问)保存在NVM中的数据的取回请求。

在一些实施例中，数据可被保存在NVM的一起构成一个“代码字”的两个或者更多的相连页(例如，物理地址)中。代码字的每一页可包括用于校正该页的错误的ECC数据(例如，“内部ECC”)。此外，在代码字中可包括一个或多个“奇偶校验页”，其中每个奇偶校验页可提供与整体代码字相关的ECC数据(例如，“外部ECC”)。每个奇偶校验页可提供用于校正代码字的错误的另一层保护。例如，当代码字包括“m”个奇偶校验页时，即使当该代码字包括多达“m”个不可校正页时，也可适当地校正该代码字中的错误(例如，这里“不可校正页”可以指的是其内部ECC数据不足以校正其错误的页)。

在一些实施例中，奇偶校验页可具有跨NVM的非规则分布。例如，奇偶校验页的“规则分布”可包括总是位于NVM的超级块的相同芯片（die）编号的奇偶校验页。相反，具有奇偶校验页的非规则分布的NVM可包括不一定位于相同芯片编号，相反可位于NVM的任何适当位置的奇偶校验页。类似地，代码字可包括开始位置和结束位置的非规则分布，和长度的非规则分布，而不是局限于开始和终止于相同位置(例如，超级块的相同芯片编号)。

这样，奇偶校验页的非规则分布可帮助为某些数据提供更大量的保护。例如，可以使用数目更多的奇偶校验页来保护更重要的信息，以及可以使用数目较少的奇偶校验页来保护不太重要的信息。再例如，在一些实施例中，可以使用数目更多的奇偶校验页来保护对错误更敏感的页，以及可以使用数目较少的奇偶校验页来保护对错误不太敏感的页。

由于NVM存储器的奇偶校验页可具有非规则分布，因此不能立即知道NVM的哪些页(例如，物理地址)是奇偶校验页。为了确定哪些页是奇偶校验页，可以在例如每一页的元数据信息中包括“奇偶校验页标记”。NVM接口或电子设备的其它适当组件可以读取该元数据标签，以确定特定页是否是奇偶校验页。

在一些实施例中，在电子设备的加电期间，可以生成映射NVM的各页的逻辑-物理地址的表格。例如，通过在加电时，扫描各页并读取各页的物理地址，随后把被读取页的这些逻辑地址和相关的物理地址保存在逻辑-物理地址表中，可以生成该表格。不过，由于不必把外部ECC数据包括在这样的表格中，因此在该扫描期间，可以读取每一页的奇偶校验页标记。当奇偶校验页标记指示某页是奇偶校验页时，该页可被跳过，其信息不被包括在逻辑-物理地址表中。