[发明专利]利用非交联的光-或热-可交联的聚合物层进行金属水平激光烧蚀来减少帽状突起的影响

权利要求书

1.一种制造有机晶体管的方法，包括以下步骤的方法：

保护层（10）在基板（5）上的沉积，所述层包括一个激光-可交联的材料，表现为非交联或部分交联的形式；

导电层（4）的沉积旨在在所述保护层（10）上，形成晶体管的源极和漏极电极（6，7）或栅极（8）；

导电层（4）的激光蚀刻，导致形成晶体管的源极和漏极电极（6，7）或栅极（8）；

电介质层（9）的沉积；

栅极（8）或源极和漏极电极（6，7）的沉积，

半导体层（11）在源极和漏极电极（6，7）表面的沉积。

2.根据权利要求1所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，通过导电层（4）的沉积和激光蚀刻，对栅极（8）或源极和漏极电极（6，7）进行沉积。

3.根据权利要求1或2所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，所述电介质层（9）通过表现为非交联的或部分交联的激光-可交联材质形成。

4.根据权利要求1或2所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，保护层（10）在电介质层（9）和栅极（8）或源极和漏极电极（6，7）之间沉积。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，所述有机晶体管是一个高栅极结构中的晶体管，在其中的半导体层（11）在源极和漏极电极（6，7）的激光蚀刻和所述电介质层（9）的沉积之间进行沉积。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，有机晶体管是一个低栅极结构中的晶体管，在其中的半导体层（11）是在源极和漏极电极（6，7）的沉积之后进行沉积的。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，通过紫外激光进行激光蚀刻，优选为准分子激光。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，在激光蚀刻后，保护层（10），还有可能是电介质层（9），进行交联步骤，优选为通过光或热的交联。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，所述表现为非交联的或部分交联的激光-可交联材料是电绝缘的。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，所述表现为非交联的或部分交联的激光-可交联材料，介电常数低于5。

11.根据权利要求1至10中任意一项所述的制造有机晶体管的方法，其特征在于，表现为非交联的或部分交联的激光-可交联材料，从下组中选择：聚丙烯酸酯，环氧树脂，环氧丙烯酸酯，聚氨酯，硅，聚酰亚胺和共聚酰亚胺，聚合物（倍半硅氧烷），聚合物（苯并环丁烯），聚合物（肉桂酸乙烯酯），全氟化的脂族聚合物，聚（乙烯基苯酚）。

12.一种高珊结构有机晶体管，能够通过权利要求1至5和权利要求7至11中所述的方法制作，包括如下结构：

-    一个基板（5）；

-    一个包含一种至少部分交联的材料的层（10）；

-    源极和漏极电极（6，7）；

-    有机或无机半导体（11）；

-    一个电介质层（9）；

-    一个栅极（8）。

13.一种低珊结构有机晶体管，能够通过权利要求1至4和权利要求6至11中所述的方法制作，包括如下结构：

-    一个基板（5）；

-    一个包含一种至少部分交联的材料的层（10）；

-    一个栅极（8）；

-    一个电介质层（9）；

-    源极和漏极电极（6，7）；

-    有机或无机半导体（11）。