[发明专利]信号发送-接收控制电路和蓄电池保护电路无效
| 申请号： | 201180024685.8 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102906960A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 大岛将史 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02J7/02;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 安之斐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 信号 发送 接收 控制电路 蓄电池 保护 电路 | ||
1.一种信号发送接收电路，包括：
第一电路，包括
第一MOS晶体管，具有栅极和漏极，并且经配置来由供给到其栅极的低信号导通，
第二MOS晶体管，具有连接到所述第一MOS晶体管的栅极的栅极、连接到所述第一MOS晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极，并且经配置来由供给到其栅极的高信号导通，以及
发送端，连接到所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的各自的漏极，并且经配置来发送信号；以及
第二电路，包括
接收端，连接到所述第一电路的所述发送端，并且经配置来接收从其所述发送端发送的信号，
第三MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极、连接到参考电压发生器电路的漏极和连接到地的源极，
电阻器，连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间，以及
输出端，连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间。
2.一种信号发送接收电路，包括：
第一电路，包括
第一MOS晶体管，具有栅极和漏极，并且经配置来由供给到其栅极的低信号导通，
第二MOS晶体管，具有连接到所述第一MOS晶体管的栅极的栅极、连接到所述第一MOS晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极，并且经配置来由供给到其栅极的高信号导通，以及
发送端，连接到所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的各自的漏极，并且经配置来发送信号；以及
第二电路，包括
接收端，连接到所述第一电路的所述发送端，并且配置来接收从其所述发送端发送的信号，
第三MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极和连接到参考电压发生器电路的漏极，
电阻器，连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间，以及
输出端，连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间。
3.一种信号发送接收电路，包括：
第一电路，包括
第一MOS晶体管，具有栅极和漏极，并且经配置来由供给到其栅极的低信号导通，
第二MOS晶体管，具有连接到所述第一MOS晶体管的栅极的栅极、连接到所述第一MOS晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极，并且经配置来由供给到其栅极的高信号导通，以及
发送端，连接到所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的各自的漏极，并且经配置来发送信号；以及
第二电路，包括
接收端，连接到所述第一电路的所述发送端，并且经配置来接收从其发送端发送的信号，
第三MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极、连接到参考电压发生器电路的漏极和连接到地的源极，
电阻器，连接在所述第三MOS晶体管和所述参考电压发生器电路之间，
输出端，连接在所述电阻器和所述第三MOS晶体管之间，
第四MOS晶体管，具有连接到所述接收端的栅极、连接到地的漏极和连接到所述参考电压发生器电路的源极，
外部信号接收电阻器，连接在所述第四MOS晶体管和地之间，以及
外部信号接收输出端，连接在所述外部信号接收电阻器和所述第四MOS晶体管之间。
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