[发明专利]电路板的制造方法

权利要求书

1.一种电路板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

在导体图案上形成树脂绝缘层，该树脂绝缘层含有大约2wt%~60wt%的比例的二氧化硅类填料；以及

通过对上述树脂绝缘层照射激光来形成到达上述导体图案的开口部，其中，上述导体图案对该激光的吸收率在大约30%~60%的范围内。

2.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述导体图案含有铜，

上述激光的波长处于大约450nm~600nm的范围内。

3.根据权利要求2所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述激光的波长处于大约500nm~560nm的范围内。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述导体图案含有铜，

上述激光的光源是YAG激光、YVO₄激光、氩离子激光以及铜蒸汽激光中的任一个。

5.根据权利要求1~4中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述导体图案含有铜，

上述激光是YAG激光或者YVO₄激光的二次谐波。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

对每个被照射体进行一次扫描来进行上述激光的照射。

7.根据权利要求1~6中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

对被照射体的整面进行上述激光的照射。

8.根据权利要求1~7中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

通过上述激光的照射来去除露出的上述导体图案的表面的氧化覆膜。

9.根据权利要求1~8中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

通过上述激光的照射在露出的上述导体图案的表面形成凹凸。

10.根据权利要求1~9中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述二氧化硅类填料对上述激光的吸收率小于大约10%。

11.根据权利要求1~10中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述二氧化硅类填料的平均粒径处于大约0.5μm~20μm的范围内。

12.根据权利要求1~11中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述二氧化硅类填料包含二氧化硅、用二氧化硅进行了表面处理的金属化合物以及滑石中的至少一个。

13.根据权利要求1~12中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

上述二氧化硅类填料包含破碎状的无定形二氧化硅。

14.根据权利要求1~13中的任一项所述的电路板的制造方法，其特征在于，

在上述树脂绝缘层处于半固化的状态下进行上述激光的照射。