[发明专利]激光光源有效

专利信息
申请号: 201180029449.5 申请日: 2011-04-06
公开(公告)号: CN102934300A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: A.布赖德纳泽尔;A.S.阿夫拉梅斯库;A.莱尔;S.陶茨 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01S5/028 分类号: H01S5/028;H01S5/026;H01S5/10;H01S5/024
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 丁永凡;卢江
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 激光 光源
【权利要求书】:

1.一种用于发出相干电磁辐射(10)、具有垂直远场射束轮廓(121)的激光光源,包含:

-用于产生相干电磁辐射的半导体层组(1),在基底(2)上具有有源区(3),其中在运行中至少从射束输出耦合面(4)的主发射区(5)以射束方向(11)发出相干电磁辐射,通过半导体层组(1)的侧面形成射束输出耦合面(4),

-过滤元件(13),其在垂直的远场射束轮廓(121)中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面(4)的、与主发射区(5)垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区(6)发出的相干电磁辐射(12)。

2.根据权利要求1的激光光源,还包含热沉(14),其中半导体层组(1)和过滤元件(13)分别布置在该热沉(14)上。

3.根据权利要求2的激光光源,其中,过滤元件(13)与主发射区(5)并且与副发射区(6)垂直偏移地从射束输出耦合面(4)延伸开,其中,过滤元件(13)特别可以具有平行于射束方向(11)的主延伸面。

4.根据权利要求2的激光光源,其中,热沉(14)具有台阶(141)并且过滤元件(13)布置在该台阶(141)的、面对半导体层组(1)的侧面上。

5.根据权利要求2至4中任一项的激光光源,其中,过滤元件(13)包含吸收体(132)、二极管和/或光电二极管(133)。

6.根据上述权利要求中任一项的激光光源,其中,过滤元件(13)在基底(2)的、与有源区(3)相对的底面上包含至少一个空隙(136)。

7.根据权利要求6的激光光源,其中,至少一个空隙(136)与射束输出耦合面(4)和/或与射束输出耦合面(4)相对的基底(2)的背面(16)分别间隔开。

8.根据权利要求6或7中任一项的激光光源,其中,至少一个空隙(136)包含多个在射束方向(11)上连续布置的空隙(136)。

9.根据权利要求6的激光光源,其中,空隙(136)从射束输出耦合面(4)一直延伸到与射束输出耦合面(4)相对的基底(2)的背面(16)。

10.根据权利要求6至9中任一项的激光光源,其中,至少一个空隙(136)至少部分以吸收相干电磁辐射的材料(132)和/或导热材料填充。

11.根据权利要求6的激光光源,其中,空隙包含基底(2)在射束输出耦合面(4)上的倾斜(137)并且通过该倾斜(137)的至少一部分来形成副发射区(6)。

12.根据上述权利要求中任一项的激光光源,其中,过滤元件(13)在主发射区(5)和基底(2)之间包含至少一个吸收层,其拥有吸收相干电磁辐射的半导体材料(135)。

13.按照权利要求12的激光光源,其中,在至少一个吸收层和基底(2)之间布置有反射层。

14.按照上述权利要求中任一项的激光光源,其中,过滤元件(13)直接在射束输出耦合面(4)上具有针对由半导体层组(1)产生的相干电磁辐射的第一吸收体(132)和/或直接在与射束输出耦合面(4)相对的、半导体层组(1)的背面上具有第二吸收体(134)。

15.按照权利要求14的激光光源,其中,由主发射区(5)发出的电磁辐射导致在主发射区(5)内第一吸收体(132)的吸收作用的自调整降低和/或在与主发射区(5)相对的区域内第二吸收体(134)的吸收作用的自调整降低。

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