[发明专利]磁控管溅射设备

权利要求书

1.一种磁控管溅射设备，包括：基板支承件(2)，其在基板平面内限定了平面的基板表面(4)，其中纵向中心平面(5)与该基板表面(4)沿着纵向中心线(6)垂直地相交，用于承载基板(3)；标靶组件，具有两个基本上长方形的标靶(7a,7b)，所述标靶(7a,7b)在所述纵向中心平面(5)的相对侧处被平行地布置在所述基板支承件(2)的上方，每个标靶(7a,7b)具有标靶板(8a；8b)，其中标靶表面(9a；9b)面向所述基板表面(4)且在纵向上延伸超过所述基板表面(4)的边界，以及磁铁构造(10a；10b)被布置在与所述标靶表面(9a；9b)相对的所述标靶板(8a；8b)的背侧处，

其特征在于，每个标靶板(8a；8b)相对于所述基板平面(4)朝向纵轴附近的所述中心平面(5)倾斜，使得在所述标靶表面(9a；9b)的中心点(11a；11b)处的所述标靶表面(9a,9b)的面法线在所有情况下都被基本上指引向所述基板表面(4)，所述标靶板的所述标靶表面(9a,9b)围成小于180°的角度，以及提供至少一个准直器(13,13a,13b)，所述至少一个准直器(13,13a,13b)具有在与所述纵向中心平面(5)基本上垂直的侧向上延伸的基本上平面的平行准直器板，所述至少一个准直器(13,13a,13b)被置于标靶表面(9a,9b)与基板表面(4)之间。

2.如权利要求1所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述磁控管溅射设备相对于所述中心平面(5)对称。

3.如权利要求1或2所述的磁控管溅射设备，其特征在于偏心度(x)在80mm与150mm之间，优选在100mm与130mm之间，所述偏心度(x)是每个标靶表面(9a,9b)的中心点(11a；11b)与所述中心平面(5)的距离。

4.如权利要求1至3之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于高度(d)在70mm与250mm之间，所述高度(d)是每个标靶表面(9a,9b)的中心点(11a；11b)与所述基板平面(4)的距离。

5.如权利要求1至4之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于每个标靶表面(9a, 9b)相对于所述基板平面的倾斜(β；-β)的绝对值在8°与35°之间。

6.如权利要求1至5之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述基板表面(4)具有100mm与305mm之间的直径。

7.如权利要求1至5之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述准直器板基本上垂直于所述基板平面(4)。

8.如权利要求1至7之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于提供了两个分离的准直器(13a,13b)，其中的每个被分配给所述标靶(7a, 7b)之一且被布置在其标靶表面(9a；9b)的前方一定距离处。

9.如权利要求8所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述准直器板是梯形的，其中上边缘在所有情况下基本上平行于其标靶(7a, 7b)的所述标靶表面(9a；9b)。

10.如权利要求1至7之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于提供单个准直器(13)，其被布置在所述基板表面(4)的前方的一定距离处。

11.如权利要求10所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述准直器板基本上为矩形，其中下边缘与所述基板表面(4)基本上平行。

12.如权利要求11所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述准直器(13)与所述基板表面的距离(b)基本上为所述准直器(13)在垂直于所述基板表面(4)的方向上的延伸(h)的倍数。

13.如权利要求10至12之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于每个准直器板的厚度作为与所述中心平面(4)的距离的函数而在侧向上增加。

14.如权利要求1至13之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述准直器(13a,13b,13)的纵横比在各处处于0.3至2.5之间。

15.如权利要求1至14之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述标靶板(8a, 8b)在所有情况下由至少第一部分和第二部分构成，所述第二部分围绕所述第一部分且通过狭缝与所述第一部分分离，其中所述磁铁构造(10a；10b)的第一磁极被置于所述第一部分的背部处且所述磁铁构造的第二磁极被置于所述第二部分的背部处。

16.如权利要求1至15之一所述的磁控管溅射设备，其特征在于所述磁控管溅射设备进一步包括真空室(1)，其中收容了所述基板支承件(2)、所述标靶组件以及所述至少一个准直器(13a,13b,13)。