[发明专利]流体产品分配设备的表面处理方法

权利要求书

1.流体产品分配设备的表面处理方法，其特征在于所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述表面具有限制在改性的所述表面上细菌的出现和/或繁殖的性能，所述多电荷离子选自氦（He）、硼（B）、碳（C）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。

2.根据权利要求1的方法，其中所述离子束通过电子回旋加速器共振源（RCE）形成。

3.根据以上权利要求中任一项的方法，其中所述多能量离子用相同的提取电压同时植入。

4.根据以上权利要求中任一项的方法，其中所述至少一个待处理表面是合成材料材质的，尤其包括聚乙烯（PE）和/或聚丙烯（PP）和/或聚氯乙烯（PVC）和/或聚四氟乙烯（PTFE）。

5.根据以上权利要求中任一项的方法，其中所述至少一个待处理表面是弹性体、玻璃或金属材质的。

6.根据以上权利要求中任一项的方法，其中所述分配设备包含含有流体产品的储槽，固定在所述储槽上的分配元件例如泵或阀，以及配备有分配孔的分配头以用于驱动所述分配元件。

7.根据以上权利要求中任一项的方法，其中所述流体产品是药物流体产品，用于以鼻或口的方式喷雾和/或吸入。

8.根据以上权利要求中任一项的方法，其中所述方法在流体产品分配设备的组装线上连续实施。

9.根据以上权利要求中任一项的方法，其中所述方法包括单体在有机材料中的深层接枝方法，它包括两个相继的步骤：

a）通过离子束的离子轰击步骤：

-以在具有20nm至3000nm范围内的厚度e_rad的层（1）中形成自由基库；并且

-形成具有0nm至3000nm范围内的厚度e_stab的、介于表面和自由基库（1）之间的稳定化层（2）；

-离子束的离子选自元素氦（He）、硼（B）、碳（C）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe）的离子；

-离子加速电压大于或等于10kV并且小于或等于1000kV；

-有机材料的处理温度小于或等于其熔融温度；

-通过有机材料的表面电阻率随着时间变化的测量确定引起最高电阻率突升台阶的剂量，在10¹²离子/cm²至10¹⁸离子/cm²范围内选择每单位面积离子剂量；

b）单体的接枝步骤，其在于在扩散温度T_d下使单体（M）通过稳定化层（2）从表面向自由基库（1）扩散。

10.根据权利要求9的方法，其中所述接枝步骤之后存在在含有杀菌离子的溶液中浸渍步骤。

11.根据权利要求9或10的方法，其中对于任何离子，选择每单位面积的离子剂量以形成稳定化层（2）和自由基库（1）的步骤基于预先获得的实验数据进行，该实验数据对于给定能量的另一种的离子指明获得最高电阻率突升台阶的每单位面积离子剂量。

12.根据权利要求9至11中任一项的方法，其中每单位面积的离子剂量优选在10¹³离子/cm²至5×10¹⁷离子/cm²范围内。

13.根据权利要求9至12中任一项的方法，其中离子加速电压优选在20kV至200kV范围内。

14.根据权利要求9至13中任一项的方法，其中扩散温度T_d在环境温度和有机材料的熔融温度T_f之间。

15.根据权利要求9至14中任一项的方法，其中选择的单体（M）具有亲水和/或疏水和/或抗菌性能。