[发明专利]等离子体处理设备有效
申请号: | 201180041127.2 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103081073A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 池田真义;坂本清尚;泽田明宏;佐护康实;长谷川雅己;栗田资三 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 | ||
1.一种等离子体处理设备,用于利用等离子体处理基板,包括:
容器,能够在其内部配置所述基板;
天线,其被设置在所述容器周围以在所述容器中生成等离子体;
磁场生成部件,其被设置在所述天线周围以在所述容器中生成磁场,从而扩散所述等离子体;以及
倾斜调整部件,用于使所述天线和所述磁场生成部件中至少一个倾斜。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中,
所述天线是被配置为相对于第一轴大体轴对称并且围绕所述第一轴的环形天线,
所述磁场生成部件是被配置为相对于第二轴大体轴对称并且围绕所述第二轴的螺线管线圈,以及
所述倾斜调整部件使所述环形天线和所述螺线管线圈中的至少一个倾斜,以使得所述第一轴和所述第二轴相互形成预定角度。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,还包括用于支持所述磁场生成部件的底板,
其中,所述倾斜调整部件是设置在所述磁场生成部件和所述底板之间的板状构件。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,还包括用于支持所述磁场生成部件的底板,
其中,所述倾斜调整部件是连接至所述底板并且能够上下移动的驱动单元,以及
通过所述驱动单元的上下移动使所述底板倾斜,从而使所述磁场生成部件倾斜。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理设备,其中,
所述底板大体为围绕所述容器的环形,以及
所述驱动单元包括设置在所述底板的一端侧的第一驱动单元和设置在所述底板的另一端侧的第二驱动单元。
6.根据权利要求4所述的等离子体处理设备,其中,
所述底板大体为围绕所述容器的环形,以及
所述驱动单元包括在所述底板的圆周方向上等角度地配置的第一驱动单元、第二驱动单元和第三驱动单元。
7.根据权利要求2所述的等离子体处理设备,其中,
由所述第一轴和所述第二轴形成的角度在0°~5°之间。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中,
所述磁场生成部件包括同心状地配置的第一螺线管线圈和第二螺线管线圈,以及
针对所述第一螺线管线圈和所述第二螺线管线圈中的每一个设置所述倾斜调整部件。
9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中,所述容器包括:
电源容器,用于在其内部生成等离子体;以及
处理容器,能够在其内部配置所述基板,并且其连接至所述电源容器从而使得所述处理容器的内部空间与所述电源容器的内部空间连通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能安内华股份有限公司,未经佳能安内华股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180041127.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:时基电路直流电倍压装置
- 下一篇:带有照明功能的外语教学用展示挂图板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造