[发明专利]反射镜、用于极紫外投射曝光系统的光学系统以及制造组件的方法有效
申请号: | 201180047361.6 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN103140802A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | J.劳夫;H.费尔德曼 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 用于 紫外 投射 曝光 系统 光学系统 以及 制造 组件 方法 | ||
1.一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20;20a)
-具有反射镜主体(21),所述反射镜主体(21)
--具有至少一个EUV辐射反射区(23)及
--至少两个EUV辐射可穿透区(22);
-其中所述辐射可穿透区(22)具有包络(35),其中所述包络(35)界定一面积,所述面积覆盖所述至少一个辐射反射区(23)的总体的至少30%。
2.如权利要求1所述的反射镜(20;20a),其特征在于:对于每一个所述EUV辐射可穿透区(22),所述反射镜(20;20a)具有共轭的EUV辐射反射区(23),其中每一个EUV辐射可穿透区(22)可通过绕着对称轴(25)旋转而被转移至与其相应共轭的EUV辐射反射区(23)中。
3.如前述权利要求中的任一项所述的反射镜(20;20a),其特征在于:每一个EUV辐射可穿透区(22)被布置为相对于所述对称轴(25)对称于与其共轭的相应EUV辐射反射区(23)。
4.如前述权利要求中的任一项所述的反射镜(20;20a),其特征在于:具有大量的辐射可穿透区(22)以及与其共轭的辐射反射区(23)。
5.如权利要求4所述的反射镜,其特征在于:所述辐射可穿透区(22)的至少一部分被布置在绕着所述对称轴(25)的圆圈上。
6.如权利要求4或5所述的反射镜,其特征在于:所述辐射可穿透区(22)被布置为使得它们的共同重心与所述对称轴(25)重合。
7.一种用于利用EUV辐射(14)照明物场(15)的照明光学系统(4),其具有如前述权利要求中的任一项所述的反射镜(20a)。
8.一种用于将物场(5)成像于像场(10)中的投射光学系统(9),其具有如权利要求1至6中的任一项所述的反射镜(20)。
9.如权利要求8所述的投射光学系统(9),其特征在于:所述反射镜(20)被布置为接近光瞳。
10.一种用于EUV投射曝光系统(1)的光学系统(27),包含:
-第一光学系统(4),用于利用EUV辐射(14)照明物场(5),
--其中所述第一光学系统(4)具有至少一个瞳分面反射镜(18),及
--其中在所述第一光学系统(4)中的EUV辐射具有至少一个特定光束路线以产生特定照明设定;及
-第二光学系统(9),用于将所述物场(5)成像于像场(10)中;
-其中所述光学系统(4、9)中的至少一个包含具有至少一个EUV辐射可穿透区(22)的至少一个反射镜(20;20a),所述至少一个反射镜(20;20a)布置在相应的另一光学系统(9、4)的光束路径中,使得在此光学系统(9、4)中的EUV辐射的至少一部分被引导通过所述至少一个EUV辐射可穿透区(22)。
11.如权利要求10所述的光学系统(27),其特征在于:所述第一光学系统是照明光学系统(4),所述第二光学系统是投射光学系统(9),并且所述投射光学系统(9)包含具有至少一个EUV辐射可穿透区(22)的至少一个反射镜(20),所述至少一个反射镜(20)布置在所述照明光学系统(4)的光束路径中,使得所述照明光学系统(4)中的EUV辐射(14)的至少一部分被引导通过所述至少一个EUV辐射可穿透区(22)。
12.如权利要求10或11所述的光学系统(27),其特征在于:如权利要求8或9所述的投射光学系统(9)。
13.一种EUV投射曝光系统(1),包含:
-EUV辐射源(3);及
-如权利要求10至12中的任一项所述的光学系统(27)。
14.一种制造微结构化或纳米结构化组件的方法,具有以下方法步骤:
-提供掩模母版(7);
-提供具有感光涂层的晶片(12);
-借助如权利要求13所述的投射曝光系统(11),将所述掩模母版(7)的至少一部分投射于所述晶片(12)上;
-显影所述晶片(12)上被曝光的感光涂层。
15.一种通过如权利要求14所述的方法制造的组件。
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