[发明专利]反射镜、用于极紫外投射曝光系统的光学系统以及制造组件的方法有效

专利信息
申请号: 201180047361.6 申请日: 2011-09-26
公开(公告)号: CN103140802A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: J.劳夫;H.费尔德曼 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 反射 用于 紫外 投射 曝光 系统 光学系统 以及 制造 组件 方法
【权利要求书】:

1.一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20;20a)

-具有反射镜主体(21),所述反射镜主体(21)

--具有至少一个EUV辐射反射区(23)及

--至少两个EUV辐射可穿透区(22);

-其中所述辐射可穿透区(22)具有包络(35),其中所述包络(35)界定一面积,所述面积覆盖所述至少一个辐射反射区(23)的总体的至少30%。

2.如权利要求1所述的反射镜(20;20a),其特征在于:对于每一个所述EUV辐射可穿透区(22),所述反射镜(20;20a)具有共轭的EUV辐射反射区(23),其中每一个EUV辐射可穿透区(22)可通过绕着对称轴(25)旋转而被转移至与其相应共轭的EUV辐射反射区(23)中。

3.如前述权利要求中的任一项所述的反射镜(20;20a),其特征在于:每一个EUV辐射可穿透区(22)被布置为相对于所述对称轴(25)对称于与其共轭的相应EUV辐射反射区(23)。

4.如前述权利要求中的任一项所述的反射镜(20;20a),其特征在于:具有大量的辐射可穿透区(22)以及与其共轭的辐射反射区(23)。

5.如权利要求4所述的反射镜,其特征在于:所述辐射可穿透区(22)的至少一部分被布置在绕着所述对称轴(25)的圆圈上。

6.如权利要求4或5所述的反射镜,其特征在于:所述辐射可穿透区(22)被布置为使得它们的共同重心与所述对称轴(25)重合。

7.一种用于利用EUV辐射(14)照明物场(15)的照明光学系统(4),其具有如前述权利要求中的任一项所述的反射镜(20a)。

8.一种用于将物场(5)成像于像场(10)中的投射光学系统(9),其具有如权利要求1至6中的任一项所述的反射镜(20)。

9.如权利要求8所述的投射光学系统(9),其特征在于:所述反射镜(20)被布置为接近光瞳。

10.一种用于EUV投射曝光系统(1)的光学系统(27),包含:

-第一光学系统(4),用于利用EUV辐射(14)照明物场(5),

--其中所述第一光学系统(4)具有至少一个瞳分面反射镜(18),及

--其中在所述第一光学系统(4)中的EUV辐射具有至少一个特定光束路线以产生特定照明设定;及

-第二光学系统(9),用于将所述物场(5)成像于像场(10)中;

-其中所述光学系统(4、9)中的至少一个包含具有至少一个EUV辐射可穿透区(22)的至少一个反射镜(20;20a),所述至少一个反射镜(20;20a)布置在相应的另一光学系统(9、4)的光束路径中,使得在此光学系统(9、4)中的EUV辐射的至少一部分被引导通过所述至少一个EUV辐射可穿透区(22)。

11.如权利要求10所述的光学系统(27),其特征在于:所述第一光学系统是照明光学系统(4),所述第二光学系统是投射光学系统(9),并且所述投射光学系统(9)包含具有至少一个EUV辐射可穿透区(22)的至少一个反射镜(20),所述至少一个反射镜(20)布置在所述照明光学系统(4)的光束路径中,使得所述照明光学系统(4)中的EUV辐射(14)的至少一部分被引导通过所述至少一个EUV辐射可穿透区(22)。

12.如权利要求10或11所述的光学系统(27),其特征在于:如权利要求8或9所述的投射光学系统(9)。

13.一种EUV投射曝光系统(1),包含:

-EUV辐射源(3);及

-如权利要求10至12中的任一项所述的光学系统(27)。

14.一种制造微结构化或纳米结构化组件的方法,具有以下方法步骤:

-提供掩模母版(7);

-提供具有感光涂层的晶片(12);

-借助如权利要求13所述的投射曝光系统(11),将所述掩模母版(7)的至少一部分投射于所述晶片(12)上;

-显影所述晶片(12)上被曝光的感光涂层。

15.一种通过如权利要求14所述的方法制造的组件。

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