[发明专利]反射镜、用于极紫外投射曝光系统的光学系统以及制造组件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于EUV（极紫外）辐射的反射镜。本发明还涉及一种照明光学系统(illumination optical system)、一种投射光学系统(projection optical system)、一种光学系统及一种EUV投射曝光系统(projection exposure system)。此外，本发明涉及一种制造微结构化或纳米结构化组件的方法及一种以此方法制造的组件。

背景技术

从EP1 927 892A1获知用于EUV辐射的反射镜及EUV投射曝光系统。从US6 522 717B1获知X光显微镜。

发明内容

本发明的目的在于开发一种用于EUV辐射的反射镜，使得可以改进EUV投射曝光系统的光学质量。

通过根据权利要求1的反射镜实现此目的。

根据本发明认识到，用作光刻掩模(lithography mask)的掩模母版(reticle)的反射能力从用于照明的EUV辐射的特定入射角起快速下降。倾斜照明还导致严重的远心误差(telecentric error)。

然而，在掩模母版的垂直照明下，换句话说，在照明光学系统的主光束（main beam）的路线平行于光轴且掩模母版相对于此垂直取向的情况下，由于结构上的限制，在照明和/或投射光学系统中发生光束路径的遮蔽（obscuration）。

物场点(object field point)(换句话说，掩模母版上的特定点)的主光束在此定义为该物场点与照明光学系统的光瞳(pupil)中心之间的连线。

根据本发明，提供一种用于EUV辐射的反射镜，其设有至少一个EUV辐射反射区以及至少两个、尤其是更多个、尤其是至少三个、尤其是至少四个、尤其是至少五个EUV辐射可穿透区。尤其，EUV辐射可穿透区在此构造为反射镜主体中的通孔(through-opening)。尤其，辐射可穿透区在反射镜主体中布置为分离的。尤其，辐射可穿透区在反射镜主体上布置为分散的，使得它们的包络界定一面积，该面积覆盖辐射反射区的总面积的至少30%、尤其是至少40%、尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%。

对应地，也可以有与此相反的反射镜构造，其中反射区和可穿透区正好对调。在此相反构造下，提供较多个、尤其是至少两个、尤其是至少三个、尤其是至少四个、尤其是至少五个EUV辐射反射区。尤其，辐射反射区在此可构造为分离的。尤其，辐射反射区可利用交叉支柱(cross-strut)彼此机械链接。尤其，辐射反射区可应用于编结型支架(braiding-type holder)中。在反射镜的此构造中，EUV辐射可穿透面积构成此反射镜的总面积的尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%。

使用根据本发明的反射镜，即使在照明光学系统的高数值孔径(numerical aperture)的情况下，也可以较小入射角照明掩模母版，而不会发生掩模母版反射的EUV辐射的遮蔽。使用根据本发明的反射镜，尤其可以引导掩模母版反射的EUV辐射的零衍射级(zero diffraction order)通过投射光学系统而没有任何遮蔽。

使用根据本发明的反射镜，可以形成照明和成像光束路径的空间分离(spatial separation)。

根据权利要求2，反射镜具有相关联的EUV辐射反射区用于每一个EUV辐射可穿透区。该EUV辐射反射区又称为与相应辐射可穿透区互补的区域。尤其，反射镜上与特定辐射可穿透区相关联及其中成像掩模母版反射的辐射的零衍射级的区域称为共轭区(conjugated region)。术语“互补区(complementary region)”及“共轭区”只是用来说明本发明。对应区不一定具有限定的机械限制。互补区，尤其是共轭区，分别布置在反射镜上相对于辐射可穿透区的预定位置。原则上，在掩模母版上反射的辐射，尤其是较高衍射级的辐射，可落在反射镜的任何区上。然而，利用传统使用的掩模母版的结构的知识，可以通过有目标地布置辐射可穿透区及辐射反射区来预先确定反射光的哪些衍射级对这些掩模母版投射到像场(image field)中有贡献。尤其，可以针对明场照明(bright field illumination)或暗场照明(dark field illumination)来构造反射镜。