[发明专利]含氧稠环衍生物和含有其而成的有机电致发光元件无效

专利信息
申请号: 201180056093.4 申请日: 2011-11-22
公开(公告)号: CN103221407A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 伊藤裕胜;河村昌宏;河村祐一郎;水木由美子;齐藤博之 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: C07D405/10 分类号: C07D405/10;C07D493/04;C09K11/06;H01L51/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 含氧稠环 衍生物 含有 有机 电致发光 元件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及含氧稠环衍生物和含有其而成的有机电致发光元件。

背景技术

有机电致发光(EL)元件是利用如下原理的自发光元件,即,通过施加电场,由此利用从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子的复合能量使荧光性物质发光。

有机EL元件具备由阳极及阴极构成的一对电极、以及位于在这些电极之间的有机薄膜层。有机薄膜层由具有各功能的层的层叠体构成,例如为依次层叠有阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、阻挡层、电子传输层及电子注入层的层叠体。

有机EL元件依据其发光原理可分为荧光型及磷光型两种。在荧光型的有机EL元件中使用基于单重态激子的发光,在磷光型的有机EL元件中使用基于三重态激子的发光。为了防止在磷光型元件中激子寿命比单重态激子长的三重态激子向发光层外扩散,已知通过在与发光层的阴极侧界面邻接的层中使用三重态能量较大的材料来实现高效率的方案。

专利文献1中公开了通过设置与发光层邻接的、由作为菲咯啉衍生物的BCP(浴铜灵)形成的阻挡层来束缚三重态激子,由此实现高效率化的技术。另外,在专利文献2中记载了通过在空穴阻挡层中使用特定的芳香族环化合物来实现高效率、长寿命化的方案。

另一方面,近年来有报道显示:在荧光型有机EL元件中也使用基于三重态激子的发光(例如非专利文献1及2、专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特表2002-525808号公报

专利文献2:美国专利第7018723号说明书

专利文献3:日本特开2004-214180号公报

非专利文献

非专利文献1:Journal of Applied Physics,102,114504(2007)

非专利文献2:SID2008 DIGEST,709(2008)

发明内容

本发明的目的在于,提供一种可防止施加电压的上升、且利用TTF(Triplet-Triplet Fusion)现象使有机EL元件高效地发光的新型含氧稠环衍生物。

另外,本发明的目的还在于,提供一种对促进TTF现象最佳的阻挡材料。

根据本发明,提供以下的含氧稠环衍生物等。

1.下述式(1)所表示的含氧稠环衍生物。

(式(1)中,Ar1为具有1个以上选自呋喃环和吡喃环的环的4环以上稠合而成的m价稠环基。

HAr表示下述式(2)~(5)所表示的含氮杂环基中的任一种。

n和m分别为1~5的整数,n和m中的至少一个为1。

L是单键、取代或未取代的成环碳原子数为6~30的n+1价芳基、取代或未取代的成环原子数为5~30的n+1价杂环基、或者选自取代或未取代的成环碳原子数为6~30的芳基和取代或未取代的成环原子数为5~30的杂环基中的2个或3个以单键连接而成的n+1价基团。)

(式(2)~(5)中,R11、R12、R21、R22、R31~R40、和R41~R46分别独立地为氢原子、卤素原子、取代或未取代的碳原子数为1~10的烷基、取代或未取代的成环碳原子数为3~8的环烷基、碳原子数为3~30的取代甲硅烷基、氰基、取代或未取代的碳原子数为1~20的烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为6~20的芳氧基、取代或未取代的碳原子数为1~20的烷硫基、取代或未取代的碳原子数为6~30的芳硫基、取代或未取代的碳原子数为6~30的芳基氨基、取代或未取代的碳原子数为1~20的单烷基氨基或二烷基氨基、取代或未取代的成环碳原子数为6~30的芳基、或者取代或未取代的成环原子数为5~30的杂环基。

R31~R35中的任一个和R36~R40中的任一个是将式(4)的2个吡啶环彼此键合的单键。

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