[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210039634.9 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103258742A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一硅锗层、第一硅层和第二硅锗层，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，所述第二区域在第一区域两侧；
在第二硅锗层表面形成硬掩膜层，去除第二区域的硬掩膜层、第二硅锗层和第一硅层直至暴露出第一硅锗层；
去除第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间的第一硅层；
在第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间形成隔离层；
去除硬掩膜层，在第二区域形成第二硅层直至与第二硅锗层表面齐平；
在第一区域的第二硅锗层表面形成栅极结构。
2.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为绝缘材料或空气。
3.如权利要求2所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述绝缘材料为氧化硅、氮化硅或氧化铝。
4.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，在第二区域形成第二硅层直至与第二硅锗层表面齐平的工艺之前，还包括：去除第二区域的第一硅锗层直至暴露出半导体衬底。
5.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅锗层、第一硅层和第二硅锗层的形成工艺均为化学气相沉积法。
6.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅锗层、第一硅层和第二硅锗层厚度分别为1～200nm。
7.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一硅锗层和第二硅锗层中锗的掺杂浓度为1％～50％。
8.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氧化硅或氮化硅的单层结构，或氧化硅和氮化硅多层交叠结构。
9.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，去除第一区域的第一硅锗层和第二硅锗层之间的第一硅层的工艺为湿法刻蚀法。
10.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，第一硅层相对于第一硅锗层和第二硅锗层的刻蚀选择比大于20∶1。
11.如权利要求9所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为碱基化学溶液。
12.如权利要求11所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述碱基化学溶液为氢氧化钾、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵和邻苯二酚-乙烯二胺中的一种，或氢氧化钾、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵和邻苯二酚-乙烯二胺中的二至四种组合。
13.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述在第二区域形成第二硅层直至与第二硅锗层表面齐平的工艺为选择性外延沉积法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
