[发明专利]折返流气流床气化炉无效
申请号: | 201210046806.5 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN102585908A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 李维成;孙登科;陈阳;聂立;李由;曹蕾 | 申请(专利权)人: | 东方电气集团东方锅炉股份有限公司 |
主分类号: | C10J3/48 | 分类号: | C10J3/48;C10J3/56 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐宏;吴彦峰 |
地址: | 643001 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 折返 流气 气化 | ||
技术领域
本发明涉及一种折返流气流床气化炉,属于气化炉技术领域。
背景技术
大型煤气化技术是现代煤化工及IGCC(IGCC是“整体煤气化联合循环”的英文缩写)多联产的基础,是洁净煤技术的重要组成部分。在各种气化技术中,气流床气化以其煤种适应性广、碳转化率及合成气产出率高、污染小、生产强度高、易于大型化等优势,代表了煤气化先进技术的发展方向。
气流床气化技术中,炉内流场和温度场的组织是影响气化效果的关键。现有市场上使用的一些典型的气化炉有:美国通用电气(GE)公司的德士古(Texco)气化炉,如美国专利U.S.Pat.Nos.4637823,4527997,5281243;荷兰壳牌(Shell)公司的气化炉,如美国专利U.S.92-960345,中国专利申请号CN 90103807.5;以及我国华东理工大学研发的多喷嘴对置式气化炉,如中国专利申请号为CN 98110601.3及CN 200510111484.8的发明专利。
德士古气化炉原料和气化剂从反应室顶部高速射流喷入,并正对下部合成气出口,其反应停留时间短,加之单射流火焰高温区域狭小、炉内火焰充满度不高等因素,最终导致碳转化率偏低。
壳牌气化炉则是采用顶部出气、气渣逆流的方式,液态渣在渣口处由于缺少气流的伴热,易凝固而造成堵渣,严重影响设备的可用性;另外,出口合成气中携带的细渣容易导致后续流程中设备的粘污、磨损、堵塞等问题。
多喷嘴对置式气化炉利用射流撞击增大炉内火焰充满度,增加碳颗粒在火焰高温区的停留时间,并增大了部分气流尤其是撞击后上流股的行程,增加了停留时间,碳转化率相比德士古炉有明显提高。但是在这类炉型中,撞击流形成的下流股存在停留时间不足、碳转化率不够高等问题;上流股存在据炉顶高度不足,并对炉顶高温冲刷严重,进而影响设备寿命等问题。
发明内容
本发明的目的在于:提出一种利用气流折返增大反应流行程、增加停留时间,进一步提高炉内空间利用效率,提高碳转化率的气流床气化炉,从而能有效的解决上述现有技术中存在的问题。
本发明的目的是通过下述技术方案来实现:一种折返流气流床气化炉,其包括立式筒形结构的反应室,所述反应室上设有与之连通的原料及气化剂喷口,所述反应室的一端为合成气出口,另一端为气流盲端;所述原料及气化剂喷口与水平面成俯仰角θ, 原料及气化剂喷口与反应室所在同一平面圆心偏离一偏离角α
作为一种优选方式,其中:所述俯仰角θ为5°-60°,所述偏离角α为0-30°。
作为进一步优选方式,所述俯仰角θ为15°-45°,所述偏离角α为5-20°。
作为进一步优选方式,所述原料及气化剂喷口为2-8个,均匀设于反应室筒体同一圆周平面上。
作为进一步优选方式之一,所述合成气出口设于反应室底部,所述原料及气化剂喷口往上倾斜,气流盲端设于反应室顶部。
作为进一步优选方式之一,所述合成气出口设于反应室顶部,所述原料及气化剂喷口往下倾斜,气流盲端设于反应室底部。
作为进一步优选,所述反应室外罩有耐压壳体,以适应加压条件下的气化。
与现有技术相比,本发明的有益效果:本发明折返流气流床气化炉具备以下优点:
1.利用气流在盲端的折返,大大增加了反应的流程,增加了反应的停留时间,提高了炉内空间的利用率,从而有利于提高碳转化率;
2.射流的撞击及旋转有扩大火焰高温区域,增大颗粒停留时间,增强颗粒与气相的传质,强化反应,提高碳转化率的效果;
3.向上气流与折返气流发出逆流传热,利于提高折返气流中反应末尾阶段的温度水平,利于提高碳转化率;
4.气流在盲端的折返,以及折返气流贴近壁面的流动有利于提高渣被壁面捕获的效率,从而减轻对合成气后续流程的影响;
5.当采用底部出气的结构时,合成气与液渣顺流,液渣得到合成气伴热,易于保证流渣通畅;且合成气后续处理可接简单的激冷流程;
6.当采用顶部出气的结构时,底部排渣虽没有气流伴热,但气流至此只经过了一半的流程,温度仍较高,且有较强的滞止冲刷对流传热作用,因此也易于保证排渣顺畅;
7.合成气后续除可选激冷处理外,也可选择接废热锅炉等工艺流程,以利于回收合成气的显热,同时,由于壁面捕渣效率的提高,后续工艺中设备粘污、磨损、堵塞等问题可得以减轻。
附图说明
图1是本发明实施例1的结构示意图;
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