[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体层；

第二导电类型的第一区，其被选择性地设置在所述半导体层的第一主表面中；

第二导电类型的第二区，其被选择性地设置在所述第一主表面中并且与所述第一区连接；

第一电极，其被设置为与所述半导体层和所述第一区相接触；

第二电极，其被设置为与所述第二区相接触；以及

第三电极，其与所述半导体层的与所述第一主表面相对的第二主表面电气连接。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一电极与所述半导体层肖特基接触，并且所述第二电极与所述第二区欧姆接触。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一区包括在所述第一主表面中在第一方向上延伸的多个第一带区，并且所述第二区在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。

4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，在所述第二方向上相邻的所述多个第一带区之间的间隔的范围是从1μm(含)至5μm(含)，并且每个第一带区在所述第二方向上不宽于所述间隔并且具有不小于0.5μm的宽度。

5.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第二区包括在所述第一主表面中在所述第二方向上延伸的多个第二带区。

6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，在所述第一方向上相邻的所述多个第二带区之间的间隔的范围是从300×Wp(含)至3000×Wp(含)，并且每个第二带区在所述第一方向上的宽度的范围是从10μm(含)至(0.2×Le)/N，

其中Le是阳极电极在所述第一方向上的宽度，N是所述多个第二带区的数量，并且Wp是每个第一带区在所述第二方向上的宽度。

7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述半导体层包括SiC和GaN中的一种。

8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

第二导电类型的第三区，其包围所述第一主表面中的所述第一区和所述第二区。

9.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述第一电极被设置为与所述第三区相接触。

10.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二电极被所述第一电极覆盖。

11.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体层，其包括宽能隙半导体；

第二导电类型的第一区，其被选择性设置在所述半导体层的第一主表面中；

第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与所述第一区相连接；

第一电极，其被设置为与所述半导体层和所述第一区相接触；

第二电极，其被设置为与所述第二区相接触；以及

第三电极，其与所述半导体层的与所述第一主表面相对的第二主表面电气连接。

12.如权利要求11所述的二极管，其特征在于，所述第一电极与所述半导体层肖特基接触，并且所述第二电极与所述第二区欧姆接触。

13.如权利要求11所述的二极管，其特征在于，所述第一区包括在所述第一主表面中在第一方向上延伸的多个第一带区，并且所述第二区在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。

14.如权利要求3所述的二极管，其特征在于，在所述第二方向上相邻的所述多个第一带区之间的间隔的范围是从1μm(含)至5μm(含)，并且每个第一带区在所述第二方向上不宽于所述间隔并且具有不小于0.5μm的宽度。

15.如权利要求13所述的二极管，其特征在于，所述第二区包括在所述第一主表面中在所述第二方向上延伸的多个第二带区。

16.如权利要求15所述的二极管，其特征在于，在所述第一方向上相邻的所述多个第二带区之间的间隔的范围是从300×Wp(含)至3000×Wp(含)，并且每个第二带区在所述第一方向上的宽度的范围是从10μm(含)至(0.2×Le)/N，

其中Le是阳极电极在所述第一方向上的宽度，N是所述多个第二带区的数量，并且Wp是每个第一带区在所述第二方向上的宽度。

17.如权利要求11所述的二极管，其特征在于，所述半导体层包括SiC和GaN中的一种。