[发明专利]准垂直功率MOSFET及其形成方法有效
| 申请号： | 201210084622.8 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102956704A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈吉智;田昆玄;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 功率 mosfet 及其 形成 方法 | ||
1.一种器件，包括：
金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET包括：
半导体衬底，包括顶面；
体区，具有第一导电类型，位于所述半导体衬底中；
双扩散漏极DDD区，具有顶面，所述顶面低于所述体区的底面，
其中，所述DDD区为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；
栅极氧化物；以及
栅电极，通过所述栅极氧化物与所述体区间隔开，其中，所述栅极氧化物的一部分和所述栅电极的一部分位于所述体区的所述顶面的下方。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅极氧化物的底端低于所述体区的底面。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述DDD区的顶面低于所述栅电极的底端。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅电极包括上部和位于所述上部下方的下部，其中，所述上部与所述体区的最近部分横向间隔开第一间距，所述第一间距等于所述栅极氧化物的厚度，并且其中，所述下部与所述半导体衬底的最近部分横向间隔开第二间距，所述第二间距大于所述第一间距。
5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：深导电塞，所述深导电塞从与所述栅电极的顶端齐平的水平面向下延伸到所述DDD区。
6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述栅电极包括两部分，位于与所述深导电塞的一部分相同的水平面处，并且其中，所述两部分位于所述深导电塞的相对的两侧。
7.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：
所述第二导电类型的源极拾取区；以及
所述第一导电类型的体拾取区，其中，所述源极拾取区和所述体拾取区基本上从所述半导体衬底的顶面延伸到所述半导体衬底中。
8.一种器件，包括：
金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，包括：
沟道，从半导体衬底的顶面延伸到所述半导体衬底中；
栅电极，从所述半导体衬底的所述顶面向下延伸，其中，所述栅电极位于所述沟道中；
体区，位于所述半导体衬底中，其中，所述体区为第一导电类型；
栅极氧化物，位于所述体区和所述栅电极的上部之间，其中，所述栅极氧化物被垂直地设置在与所述半导体衬底的顶面垂直的方向上；以及
双扩散漏极DDD区，为第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，其中，所述DDD区低于所述体区。
9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述栅极氧化物具有第一厚度，并且其中，所述栅电极进一步包括：下部，低于所述上部，并且其中，所述下部通过电介质区与所述半导体衬底的最近部分隔离开，所述电介质区具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述栅电极的整个下部低于整个体区。
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