[发明专利]具有控制电极的穿硅通孔与其制作方法

权利要求书

1.一种具有控制电路的穿硅通孔，其特征在于，包含：

基底；

导电电极，其贯穿所述基底；

垂直晶体管，包含：

一源极、一通道以及一漏极设置于所述导电电极上，通道设置于所述源极与所述漏极之间；

一栅极设置于所述基底中，并包围所述通道；以及

一栅极介电层设置于所述通道与所述栅极之间；以及

导电层，设置于所述垂直晶体管的所述漏极上。

2.根据权利要求1的具有控制电路的穿硅通孔，其特征在于还包含一栅极接触，设置在所述基底中的所述栅极上。

3.根据权利要求1的具有控制电路的穿硅通孔，其特征在于所述栅极包含掺杂区。

4.根据权利要求1的具有控制电路的穿硅通孔，其特征在于所述源极与所述漏极包含掺杂多晶硅。

5.一种形成具有控制电路的穿硅通孔的方法，其特征在于包括：

提供一基底；

在所述基底上形成导电电极以及绝缘层，其中所述绝缘层包围所述导电电极；

移除部份的所述导电电极以形成一凹槽；

在所述凹槽中形成一多晶硅层以及一导电层；以及

在多晶硅层的中间部位，以及相邻于多晶硅层的所述中间部位的所述基底中形成一掺杂区。

6.根据权利要求5的形成具有控制电路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述凹槽的底部低于所述基底。

7.根据权利要求5的形成具有控制电路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述多晶硅层的高度高于所述基底。

8.根据权利要求5的形成具有控制电路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述多晶硅层的高度高于所述基底。

9.根据权利要求5的形成具有控制电路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述掺杂多晶硅层包含P导电型掺质。

10.根据权利要求5的形成具有控制电路的穿硅通孔的方法，其特征在于所述掺杂区包含N导电型掺质。