[发明专利]一种单向导电耐压器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种单向导电耐压器件。本发明还涉及一种单向导电耐压器件的制造方法。

背景技术

传统的PN结二级管是在一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体，P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态；当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

目前，高压二极管器件主要由PN结型二极管和肖特基二极管构成。肖特基二极管的耐高压能力有限，采用PN结型二极管作为高压器件应用广泛。PN结型二极管的缺点是反偏电压越大，所需要的耐击穿耗尽层宽度越宽，同时导致正向开启时的电阻随之增大，随着器件抗击穿电压的提高器件能得到的正向导通电流越来越小。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种单向导电耐压器件与传统高压二极管相比在提供相同抗击穿电压的同时能提供更大的正向导通电流。本发明还提供了一种单向导电耐压器件的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明的单向导电耐压器件，包括：

P型硅上部左侧形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入层；P型硅上部右侧形成有二个以上串联的MOS结构；

所述MOS结构包括P型硅、N+注入层、栅氧化层和栅极；栅氧化层形成于P型硅上方；N+注入层形成于P型硅上部，栅氧化层两边旁侧下方；栅极形成于栅氧化层的上方；

其中，最左侧(即与N阱相邻)的MOS结构的栅氧化层与N阱相邻，每个MOS结构的栅极通过金属导线与其相邻的N+注入层相连。

其中，P型硅为P型硅衬底或P型硅外延。

本发明单向导电耐压器件的制造方法，包括：

(1)在P型硅上注入N型离子形成N阱；

(2)在P型硅上生长栅二氧化硅层；

(3)在栅氧化层上利用多晶硅生长栅极；

(4)进行栅极刻蚀，打开注入窗口；

(5)进行N+离子注入形成N+注入层；

(6)将栅极和N+注入层连接。

其中，实施步骤(3)时，能采用金属铝形成栅极。

本发明的单向导电耐压器件能通过控制串联MOS管的数目，使每一个MOS结构栅极和漏极(N+注入层)的电压小于栅氧化层的击穿电压，达到反向耐高压的功能，与传统高压二极管相比在提供相同抗击穿电压的同时能提供更大的正向导通电流。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是一种传统PN结二极管构造示意图。

图2是本发明单向导电耐压器件示意图一。

图3是图2中MOS结构的局部放大图。

图4是本发明单向导电耐压器件示意图二，其显示本发明器件加反向偏压的情况。

图5是本发明单向导电耐压器件示意图三，其显示本发明器件加正向偏压的情况，图中箭头指向为正向加偏压时的电流方向。

附图标记说明

1是P型硅

2是栅氧化层

3是N阱

4是N+注入层

5是栅极。

具体实施方式

如图2、图3所示，本发明一实施例，包括：P型硅1上部左侧形成有一N阱3，N阱3的上部形成有一N+注入层4；P型硅1上部右侧形成有二个串联的MOS结构；

所述MOS结构包括P型硅1、N+注入层4、栅氧化层2和栅极5；栅氧化层2形成于P型硅1上方；N+注入层4形成于P型硅1上部，栅氧化层2两边旁侧下方；栅极5形成于栅氧化层2的上方；

其中，最左侧的MOS结构的栅氧化层2与N阱3相邻，每个MOS结构的栅极5通过金属导线与其相邻的N+注入层4相连；P型硅采用P型硅衬底或P型硅外延。

如图4所示，于本实施例的器件加反向加偏压时，由于栅极5和相邻的N+注入层(源区)同电位，每个MOS结构都处于关闭状态形成分压，使交集在栅极和栅氧间的电压不会超过栅氧化层的击穿电压。

如图5所示，于本实施例的器件加正向加偏压时，由于正向的漏极(N+注入层)和栅极通过金属线连在一起，所以MOS管开启；同时，下一个MOS结构的漏极和栅极也被同时提高电位达到开启，由沟道进行导电，形成正向电流导通。

本发明单向导电耐压器件的制造方法的一实施例，包括：