[发明专利]沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：

一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；

一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；

一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；

一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；

一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。

2.根据权利要求1所述的沟道型碳化硅肖特基二极管，其中所述外延片的材料为碳化硅。

3.根据权利要求1所述的沟道型碳化硅肖特基二极管，其中该沟道63的深度小于外延片的厚度。

4.根据权利要求1所述的沟道型碳化硅肖特基二极管，其中在沟道63内的底部注入P型离子形成的P+区，其掺杂元素为铝或硼。

5.根据权利要求4所述的沟道型碳化硅肖特基二极管，其中注入P型离子形成的P+区，其注入浓度为1E11-1E15/cm²，P型离子注入能量为20KeV-2MeV。

6.一种沟道型碳化硅肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：在碳化硅外延片的上表面覆盖一层掩膜层，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；

步骤2：图形化掩膜层，使掩膜层的中间形成一刻蚀窗口；

步骤3：在刻蚀窗口内向下刻蚀，使掩膜层形成一沟道；

步骤4：在沟道底部注入P型离子，使沟道的底部形成P+区；

步骤5：在沟道的内壁面上，制作一层氧化膜层；

步骤6：在氧化膜层上，制作多晶硅层，该多晶硅层充满沟道；

步骤7：在外延片上，并覆盖沟道，制作肖特基金属电极；

步骤8：在外延片的下表面，制作欧姆接触电极，完成二极管的制作。

7.根据权利要求6所述的沟道型碳化硅肖特基二极管的制作方法，其中所述外延片的材料为碳化硅。

8.根据权利要求6所述的沟道型碳化硅肖特基二极管的制作方法，其中该沟道的刻蚀深度小于外延片的厚度。

9.根据权利要求8所述的沟道型碳化硅肖特基二极管的制作方法，其中在沟道内的底部注入P型离子形成的P+区，其掺杂元素为铝或硼，所述氧化膜层的材料为氧化硅或氮化硅。

10.根据权利要求9所述的沟道型碳化硅肖特基二极管的制作方法，其中注入P型离子形成的P+区，其注入浓度为1E11-1E15/cm²，P型离子注入能量为20KeV-2MeV。