[发明专利]稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体，其化学式为RE³⁺:PbClF，其中稀土离子RE³⁺选自Yb³⁺、Nd³⁺、Tm³⁺、Ho³⁺、Pr³⁺、Ce³⁺和Er³⁺中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体，其特征在于，所述稀土离子RE³⁺的掺杂量为0.2～2mol%。

3.根据权利要求2所述的稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体，其特征在于，所述稀土离子RE³⁺为Yb³⁺，其掺杂量为0.5～2mol%。

4.根据权利要求2所述的稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体，其特征在于，所述稀土离子RE³⁺为Nd ³⁺，其掺杂量为0.2～1mol%。

5.一种制备权利要求1～4中任一项所述的稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体的方法，其特征在于，包括：

以REF₃、PbF₂和PbCl₂为原料，采用固相合成法制备稀土离子掺杂氟氯化铅的多晶原料；

在600～630℃下熔融所述多晶原料；以及采用坩埚下降法制得稀土离子掺杂氟氯化铅的单晶。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述坩埚下降法的坩埚下降速度为10～20mm/天，生长完成后降温速率为20～50℃/小时。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述坩埚下降法的生长时间为3～5天。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的方法，其特征在于，在采用固相合成法制备稀土离子掺杂氟氯化铅多晶原料的步骤中，PbCl₂过量1～2mol%，烧结温度为400～500℃，烧结时间为10～20小时。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用石英玻璃坩埚真空密封，无籽晶生长。