[发明专利]用于半导体装置的导线构造及其制造方法

权利要求书

1.一种用于半导体装置的导线构造，其特征在于，包含：

一铜导线，具有一前端；以及

一含铟焊球，结合在所述铜导线的前端，其中所述铜导线的前端插入所述含铟焊球内，以构成一导线构造。

2.如权利要求1所述用于半导体装置的导线构造，其特征在于，所述铜导线的材质选自纯铜或铜合金；以及所述含铟焊球的材质选自纯铟、铟银合金或铟锡合金。

3.如权利要求1所述用于半导体装置的导线构造，其特征在于，所述铜导线的前端与所述含铟焊球之间形成一介金属层，所述介金属层为包含Cu₂In、Cu₇In₃或Cu₁₁In₉中至少一种以上的介金属化合物；以及所述介金属层的厚度介于0.01至1微米之间。

4.如权利要求1所述用于半导体装置的导线构造，其特征在于，所述含铟焊球的表面具有一氧化铟保护层，所述氧化铟保护层的厚度介于10至100纳米之间。

5.一种半导体装置，采用权利要求1所述的用于半导体装置的导线构造，其特征在于，包含：

一芯片，具有至少一接垫；

一载板具有至少一焊垫，且所述载板承载所述芯片；以及

至少一导线构造，各具有一铜导线和一含铟焊球，所述铜导线具有一前端及一尾端，以及所述含铟焊球结合在所述铜导线的前端；其中所述含铟焊球结合在所述芯片的接垫上，以及所述铜导线的尾端结合在所述载板的焊垫上。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述铜导线的材质选自纯铜或铜合金；以及所述含铟焊球的材质选自纯铟、铟银合金或铟锡合金。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述铜导线的前端与所述含铟焊球之间形成一介金属层，所述介金属层为包含Cu₂In、Cu₇In₃或Cu₁₁In₉中至少一种以上的介金属化合物；以及所述介金属层的厚度介于0.01至1微米之间。

8.一种用于半导体装置的导线构造的制造方法，采用权利要求1所述的用于半导体装置的导线构造，其特征在于，包含以下步骤：

加热一含铟材料，使所述含铟材料熔化形成一含铟焊球；

提供一铜导线，所述铜导线具有一前端；以及

使所述铜导线的前端与所述含铟焊球相结合，以构成一导线构造。

9.如权利要求8所述的用于半导体装置的导线构造的制造方法，其特征在于，在加热所述含铟材料的步骤中，包含：

预先使所述含铟材料形成球状，并利用一配料管装载所述球状的含铟材料；

由所述配料管输出所述球状的含铟材料至一容置槽中；以及

加热位于所述容置槽中的所述的球状含铟材料，使所述球状的含铟材料熔化或软化形成所述含铟焊球。

10.如权利要求8所述的用于半导体装置的导线构造的制造方法，其特征在于，在加热所述含铟材料的步骤中，包含：

利用一线材供应单元供应一线状的含铟材料；

截取一段所述线状的含铟材料，并放置于一容置槽中；以及

加热位于所述容置槽中的所述线状的含铟材料，使所述线状的含铟材料熔化或软化形成所述含铟焊球。

11.如权利要求8所述的用于半导体装置的导线构造的制造方法，其特征在于，在加热所述含铟材料的步骤中，包含：

利用一复合式焊针，同时供应所述铜导线及一线状的含铟材料，使所述铜导线与所述线状的含铟材料相互邻接；以及

加热一段所述线状的含铟材料，使所述线状的含铟材料熔化或软化形成所述含铟焊球。

12.如权利要求11所述的用于半导体装置的导线构造的制造方法，其特征在于，选择利用一电子点火杆、一激光束或一加热线圈来加热裸露出所述复合式焊针外的所述线状含铟材料。

13.如权利要求8所述的用于半导体装置的导线构造的制造方法，其特征在于，所述铜导线的材质选自纯铜或铜合金；所述含铟焊球的材质选自纯铟、铟银合金或铟锡合金。