[发明专利]一种超结绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201210121740.1 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102637733A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吴佳珍;江兴川;李志贵;林信南;何进 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种超结绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底、N型基区、P柱和有源区，所述有源区包括P阱体区，P+阱区和N+阱区；所述P型衬底下端设置有电极，作为集电极引出；所述P型衬底上端为所述N型基区，所述N型基区内部一侧设置有所述P柱，所述P柱上方设置所述有源区，所述有源区上方设置有电极，作为发射极引出；所述N型基区内部未设置有P柱的另一侧上端设置有栅氧化层，所述栅氧化层上端设置有多晶硅栅，所述多晶硅栅上方设置有电极，作为栅极引出；其特征在于：所述P型衬底包括一个高掺杂浓度的衬底区（p3），所述P型衬底的其余部分为相对低掺杂浓度的衬底区（p2），所述掺杂浓度为衬底中P型硅的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的超结绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述高掺杂浓度的衬底区（p3）的宽度为1μm~8μm。
3.根据权利要求1所述的超结绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述高掺杂浓度的衬底区（p3）的掺杂浓度为1.6×1019 cm-3。
4.根据权利要求1所述的超结绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述超结绝缘栅双极型晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述P型衬底和所述N型基区之间。
5.根据权利要求2所述的超结绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述缓冲层为N型缓冲层。
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