[发明专利]光刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及的是一种光刻方法。

背景技术

半导体技术继续沿着摩尔定律发展，临界尺寸越来越小，芯片的集成度也越来越高，这对半导体制造工艺提出了越来越严格的要求，因此必须在工艺过程中尽可能地减小每一步骤的误差，降低因误差造成的器件失效。

在半导体制造过程中，光刻工艺作为每一个技术代的核心技术而发展。光刻是将掩模板（mask）上图形形式的电路结构通过对准、曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶的硅片表面的工艺过程，光刻工艺会在硅片表面形成一层光刻胶掩蔽图形，其后续工艺是刻蚀或离子注入。标准的CMOS工艺中，需要用到数十次的光刻步骤，而影响光刻工艺误差的因素，除了光刻机的分辨率之外，还有对准的精确度。

现有技术中可以通过套刻测量（overlay）来测量曝光显影后的图形与掩模板之间的对准。但是对于同一批次的多个晶圆，套刻测量都是采用抽检几个固定位置晶圆的方式，而非全检方式，因此检测准确率较低，无法保证将所有不合格晶圆都检测出来。

针对上述缺陷，可以在涂覆光刻胶之后且曝光之前先获取各晶圆的对准质量参数（wafer quality，WQ）。所述WQ参数指定是实际收到对准信号与理想信号值对比的百分比，其可以由光刻机直接获取。所述WQ参数越大则对准效果越好。当WQ参数小于设定的阈值（如：0.5）时，则对应的晶圆可能存在对准问题，该存在对准问题的晶圆需要进行二次加工（rework），即去除晶圆上的光刻胶，重新进行涂覆。

综上所述，参考图1所示，现有技术的光刻方法包括：

步骤S1，提供晶圆，在所述晶圆上涂覆光刻胶层；

步骤S2，获取每个所述晶圆的对准质量参数，当对准质量参数大于阈值时，使光刻机暂停工作，并由设备工程师从光刻机上取下对准质量参数大于阈值的晶圆；

步骤S3，对保留的晶圆进行曝光显影，对取下的晶圆进行二次加工。

但是上述技术方案存在以下问题：在光刻机对一批次的多个晶圆进行处理时，一旦出现晶圆的WQ参数小于预设的阈值，就需要使光刻机暂停工作，从而工作人员从光刻机上取下对应的晶圆后，才能使光刻机重新进行工作。在上述过程中，为了取下一个可能存在对准问题的晶圆，需要使光刻机暂停工作半个小时以上，而光刻机的成本是很高的，在浪费光刻机工作时间的同时，降低了光刻的效率，提高了光刻的成本。

因此，如何降低光刻的时间和成本就成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光刻方法，可以降低光刻的时间和成本，提高光刻效率。

为解决上述问题，本发明提供了一种光刻方法，包括：

提供晶圆，在所述晶圆上形成光刻胶层；

获取并存储每个所述晶圆的对准质量参数；

对所述晶圆进行曝光显影；

从曝光显影后的晶圆中选出对准质量参数小于阈值的晶圆。

可选地，所述对准质量参数通过阿斯麦公司的光刻设备直接获取。

可选地，所述对准质量参数以表格形式进行存储。

可选地，所述阈值的取值范围包括：0.8~0.2。

可选地，所述阈值为0.5。

可选地，所述晶圆包括金属栅极。

可选地，所述光刻方法还包括：对选出的晶圆进行对准测试。

可选地，所述对准测试包括套刻测量。

可选地，所述光刻方法还包括：对对准测试不合格的晶圆进行二次加工。

可选地，所述二次加工包括：去除晶圆上剩余的光刻胶层，并重新进行光刻处理。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：在晶圆上形成光刻胶层且曝光显影之前，仅仅是获取和存储每个晶圆的对准质量参数，即使晶圆的对准质量参数小于阈值也不作处理，而是待所有晶圆都曝光显影之后，再从其中选出对准质量参数小于阈值的晶圆，从而无需暂停光刻机，避免浪费光刻机的工作时间，降低了光刻成本，提高了光刻效率。

附图说明

图1是现有技术中光刻方法的流程示意图；

图2是本发明实施方式中光刻方法的流程示意图；

图3至图6是本发明实施例中光刻方法的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。