[发明专利]一品红插穗直接定植上盆的栽培方法无效
申请号: | 201210190975.6 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN102783329A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 黄子锋;王凤兰;王燕君;周厚高;赖永超 | 申请(专利权)人: | 东莞市粮作花卉研究所 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人: | 张作林 |
地址: | 523000*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一品红 直接 定植 栽培 方法 | ||
技术领域
本发明属于植物栽培技术领域,尤其涉及花卉栽培方法领域,具体涉及一种一品红插穗直接定植上盆的栽培方法。
背景技术
一品红(Euphorbia pulcherrima)又名圣诞花,原产于墨西哥及中美洲,为大戟科大戟属植物,在圣诞节用来摆设的著名红色花卉。大红大绿的叶片相间,外观色彩充满圣诞节的应景气氛,因而称为圣诞红。一品红常摆置居室、厅、堂、馆等地方。
现有的一品红常规栽培方法在定植之前要经过扦插育苗阶段,需要花费较多工序和时间。
发明内容
本发明的目的主要是针对现有一品红栽培方法在定植前要经过扦插育苗阶段,而提出的一种插穗无需经过扦插育苗而直接定植上盆栽培的方法。
为实现本发明的目的,本发明提供了以下技术方案:
一品红插穗直接定植上盆的栽培方法,该方法为选取初次打顶后5~6周发芽的一品红枝作为采穗对象,剪取长度为5~6cm的插穗;然后把插穗基部在预先配制的生根粉中醮一下;在花盆的基质中央打个小洞,再把经过处理的插穗定植于基质中;定植后,整理叶片使顶芽露出,喷雾于插苗使叶片保持湿润,待插穗基部形成愈伤组织后,即可施水溶性肥。
上述的插穗在剪取时保留2~3片成熟叶片。
上述的插穗基部插入基质3cm。
本发明中,在白天进行定植时,喷雾于扦插苗叶子,使之保持湿润,喷雾的次数和水量根据外界的天气条件做出调整。
本发明的有益效果:与现在技术相比,本发明解决了在一品红栽培过程中减少了常规栽培中的扦插育苗阶段,直接用插穗定植于基质中,栽培成盆花,从而减少了生产工序和劳动时间,节约了人力和生产成本。
具体实施方式
为进一步了解本发明的发明内容,兹例举如下实施例:
1.插穗的采集 插穗的成熟度影响生根,太嫩或者太老都不易生根,较佳的做法是选取初次打顶后5~6周时间发出的芽的枝。剪取长度为5~6cm的插穗,保留2~3片成熟叶片,切下的插穗如不能立即定植,用经过水润湿的报纸包好,放置于18℃左右的冷库中,保存时间不应超过12小时。
2.生根处理 插穗基部在预先配制好的生根粉中醮一下,然后立即上盆定植。生根粉分为水剂和粉剂,一般是由IBA或者NAA之类的不同比例生长调节剂配制而成,本实施例采用市场上销售的生根粉产品。
3.定植方法 基质以进口泥炭(1/3体积)和国产泥炭(2/3体积)混合为佳,这样配好的基质保水、保肥性和透气性好。定植前浇透水,并在花盆基质中央打个小洞,小洞要深于插穗扦插的深度,定植深度为3cm左右。定植结束后,整理叶片,使顶芽露出。进口泥炭是一种纯苔藓泥炭,国外的品牌如德国的Klasmann、丹麦的Pindstrup等,它的一致性、保肥性、透气性和保水性强,从而使管理成本降低;国产泥炭一般是草炭土,是沼泽植物残体形成的疏松堆积物或经矿化而形成的腐植物,国产草炭土的透气性和保水性都比不上进口泥炭藓土。为使生产成本降低,栽培效果无明显下降,所以选用两种泥炭土混合作为栽培基质。
4.后期管理 在插穗定植之后,及时遮荫和喷雾,保持通风。较佳的做法是白天使扦插苗的叶子保持湿润,喷雾次数和水量根据天气条件做出调整。在高温季节除叶面需要喷雾外,还应采取地面洒水等降温措施。上盆10天后,在插穗基部逐渐形成愈伤组织,即可开始例行施肥,水溶性肥品牌主要有花多多,花无缺等,针对不同植物的生成阶段,定植初期以高氮肥料为主,使用10000倍(30-10-10)水溶性肥施肥,新叶成熟后可加大浓度。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,不是对本发明的具体限制,但本发明的保护范围不局限于此,任何熟悉技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市粮作花卉研究所,未经东莞市粮作花卉研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210190975.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。