[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

封装基板，其包含绝缘保护层与埋设于该绝缘保护层中的线路层，该线路层具有相对的第一表面与第二表面，且该线路层包含第一子线路层、第二子线路层与第三子线路层，其中，该线路层的第一表面外露于该绝缘保护层，又该绝缘保护层具有至少一开孔，以令该线路层的部份第二表面外露于该开孔；

芯片，其设于该封装基板上，且电性连接该线路层的第一表面；以及

封装胶体，其形成于该封装基板上，且包覆该芯片，并外露该开孔。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该线路层的第一表面齐平于该绝缘保护层的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一子线路层为金或银，该第二子线路层为镍，且该第三子线路层为铜。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该线路层的第二表面上形成有表面处理层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该表面处理层的材质为金或银。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一子线路层为金，该第二子线路层为镍，且该第三子线路层为钯。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其特征在于，该线路层的第二表面上形成有金属层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该金属层的材质为铜。

9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，该金属层上形成有表面处理层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其特征在于，该表面处理层的材质为锡、银、镍、钯、金、焊锡、无铅焊锡或其组合的其中一者。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该绝缘保护层为防焊层或封装胶材。

12.一种半导体封装件的制法，其包括：

形成线路层于第一承载板上，该线路层具有相对的第一表面与第二表面，且该线路层的第一表面与该第一承载板结合；

形成绝缘保护层于该第一承载板与该线路层上，且于该绝缘保护层上形成有至少一开孔，以令该线路层的部份第二表面外露于该开孔；

结合第二承载板于该绝缘保护层上；

移除该第一承载板，以外露该线路层的第一表面与该绝缘保护层；

置放芯片于该绝缘保护层上，且电性连接该芯片与线路层的第一表面；

形成封装胶体于该绝缘保护层与该线路层的第一表面上，以包覆该芯片；以及

移除该第二承载板。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，形成该第一承载板及第二承载板的材质为玻璃纤维板、玻璃或金属。

14.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该线路层的第一表面齐平于该绝缘保护层的表面。

15.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该线路层还包括第一子线路层、第二子线路层与第三子线路层。

16.根据权利要求15所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一子线路层为金或银，该第二子线路层为镍，且该第三子线路层为铜。

17.根据权利要求16所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成表面处理层于该开孔中的线路层的第二表面上。

18.根据权利要求17所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该表面处理层的材质为金或银。

19.根据权利要求15所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该第一子线路层为金，该第二子线路层为镍，且该第三子线路层为钯。

20.根据权利要求19所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成金属层于该线路层上。

21.根据权利要求20所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该金属层的材质为铜。

22.根据权利要求20所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成表面处理层于该金属层上。