[发明专利]半导体电极组件的钎焊方法有效
| 申请号： | 201210201713.5 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102699466A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 向兴海;周斌;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/008 | 分类号： | B23K1/008 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 电极 组件 钎焊 方法 | ||
1.一种半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，包括：
提供包括上、下模具的石墨烧结模具，该上模具内预留有引线孔；
装模：将电极组件装入下模具中，盖好上模具；
通过引线孔放入球体形状的焊料，再通过引线孔放入半导体引线；
对电极组件与半导体引线进行钎焊。
2.如权利要求1所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述装模步骤前，还包括对电极组件进行除油及除氧化层的操作。
3.如权利要求2所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述电极组件为片状或柱状零部件，该片状或柱状零部件与半导体引线之间通过球体形状的焊料进行钎焊。
4.如权利要求3所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述半导体引线的截面积小于片状或柱状零部件钎焊点所在面的面积。
5.如权利要求4所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述片状或柱状零部件为圆柱形或方柱形。
6.如权利要求3所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述石墨烧结模具的深度为0.2mm-3mm，片状或柱状零部件的厚度为0.2mm—3mm。
7.如权利要求1所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述球体形状的焊料半径为0.3mm-3mm。
8.如权利要求7所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述焊料采用银基焊料AgCu28、铜基焊料TU1、金基焊料AuCu20或钛基焊料TiNi28材料。
9.如权利要求1所述的半导体电极组件的钎焊方法，其特征在于，所述对电极组件与半导体引线进行钎焊的操作在烧焊炉内进行，该烧焊炉内的炉温为840℃±30℃，氢气流量为15升/分±5升/分，氮气流量为12升/分±5升/分，烧焊时间为3min±1min。
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