[发明专利]实现带隙基准电路低温漂的装置

权利要求书

1.一种实现带隙基准电路低温漂的装置，其特征是，由mos管P1、P2，放大器，电阻R1、电容C1，三极管Q1、Q2，电阻Rs、Rn组成，其中，电阻Rs、Rn均为负温度系数的多晶硅电阻，阻值随温度变化量为：

R＝R_o×[1+T_C1(T-T₀)+T_C2(T-T₀)²]    。                                     (5)

2.如权利要求1所述的放大器内部结构为：三极管N1、N2、P3、P4、Rt构成，三极管N1、N2发射极相连并在连接点与地之间连接电阻Rt，元件取值如下：

表1

  名称   W   L   M   名称   W   L   M   P1   20u   0.4u   4   Q1   1u   1u   1   P2   20u   0.4u   4   Q2   1u   1u   8   P3   10u   1u   3   N1   5u   0.35u   2   P4   10u   1u   3   N2   5u   0.35u   2

表2

  名称   阻值(单位：欧姆)   R1   3713   Rs   14565   Rn   3713   Rt   600000

表3

  名称   容值(单位：fF)   C1   682

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