[发明专利]具有偏移部件的半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个线元件，包括：

第一线元件，具有第一宽度的第一区和第二宽度的偏移区，所述第二宽度不同于所述第一宽度；

形成与所述多个线部件中的每一个的侧壁邻接的间隔元件；

在形成所述间隔元件后，从所述衬底去除所述多个线元件；

在去除所述多个线元件后使用所述间隔元件蚀刻下面的层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述间隔元件包括在所述衬底上形成材料的共形层以及蚀刻所述共形层以形成所述间隔元件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二宽度小于所述第一宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所蚀刻的下面的层上形成接触元件。

5.一种finFET晶体管，包括：

衬底，具有从所述衬底延伸的鳍状件；

形成在所述衬底上的栅极结构，其中所述栅极结构包括：

第一部分和第二部分，其中所述第一部分和第二部分每一个都具有第一边缘和相对的第二边缘，并且其中第一边缘基本共线以及第二边缘基本共线；以及

介于所述第一部分和所述第二部分的偏移部分，所述偏移部分具有第一边缘和第二边缘，其中第一边缘和第二边缘与所述栅极结构的所述第一部分和所述第二部分的第一边缘和第二边缘不共线；以及

接触元件，连接至所述栅极结构的所述偏移部分。

6.一种半导体器件，包括：

形成在半导体衬底上的栅极结构，其中所述栅极结构包括：

第一部分和第二部分，其中所述第一部分和所述第二部分每一都具有第一边缘和相对的第二边缘，并且其中第一边缘基本共线以及第二边缘基本共线；以及

介于所述第一部分和所述第二部分的偏移部分，所述偏移部分具有第一边缘和第二边缘，其中第一边缘和第二边缘与所述栅极结构的所述第一部分和所述第二部分的第一边缘和第二边缘不共线。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述栅极结构包括金属栅电极。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

接触元件，连接至所述栅极结构的所述偏移部分。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述栅极结构接触所述半导体衬底的单一平坦表面。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述栅极结构是连续结构。